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公开(公告)号：CN111458312B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010158345.5
申请日：2020-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统，涉及一种光学晶体缺陷检测光学系统。目的是解决现有晶体表层缺陷检测装置无法获得晶体表层缺陷的受激荧光的稳态光谱和内部结构的问题。检测光学系统由可变波长激光器、第一反射镜、光阑、二向色镜、显微物镜、晶体元件、载物台、白光光源、第二反射镜、滤光片、第一透镜、光纤、光谱仪、时间相关单光子计数器、计算机、第三反射镜、第二透镜和CCD相机构成。本发明即可以实现晶体元件表层缺陷，也能够实现表层缺陷激发稳态荧光光谱以及表层缺陷激发瞬态荧光光谱的检测。本发明适用于晶体表层缺陷检测。
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公开(公告)号：CN111504958B
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202010158348.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 一种软脆光学晶体加工表层荧光性缺陷检测方法，涉及一种晶体缺陷检测方法。目的是解决现有方法无法获得晶体表层缺陷的受激荧光的稳态光谱和内部结构的问题。检测方法利用软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统中进行，一、缺陷定位；二、测量背底；三、测量可见光波段稳态荧光光谱；四、测量可见光波段瞬态荧光光谱；五、测量近红外波段稳态荧光光谱；六、改变波长获得不同激发光波长下的可见光波段瞬态荧光光谱和近红外波段稳态荧光光谱。本发明可以实现晶体元件表层缺陷、表层缺陷激发稳态荧光光谱以及表层缺陷激发瞬态荧光光谱的检测。本发明适用于晶体表层缺陷检测。
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公开(公告)号：CN111504958A
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202010158348.9
申请日：2020-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 一种软脆光学晶体加工表层荧光性缺陷检测方法，涉及一种晶体缺陷检测方法。目的是解决现有方法无法获得晶体表层缺陷的受激荧光的稳态光谱和内部结构的问题。检测方法利用软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统中进行，一、缺陷定位；二、测量背底；三、测量可见光波段稳态荧光光谱；四、测量可见光波段瞬态荧光光谱；五、测量近红外波段稳态荧光光谱；六、改变波长获得不同激发光波长下的可见光波段瞬态荧光光谱和近红外波段稳态荧光光谱。本发明可以实现晶体元件表层缺陷、表层缺陷激发稳态荧光光谱以及表层缺陷激发瞬态荧光光谱的检测。本发明适用于晶体表层缺陷检测。
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公开(公告)号：CN101788485B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201010300207.2
申请日：2010-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 一种铒离子上转换中间能级寿命的测量方法，它涉及荧光寿命的测量方法，本发明解决了现有的测量红外荧光寿命的方法需要昂贵的红外探测器、测试过程复杂、需要引入双光束和双光束之间的延迟变化，检测难度大的问题。本发明该方法是由延迟信号发生器、短脉冲激光器、高压脉冲发生器、增强型电荷耦合器和光栅光谱仪组成测试系统，被测材料经脉冲照射而发出的荧光进入光谱仪检测光强；在单脉冲能量不变的条件下，测出不同激发频率下及相应的可见光强度，绘出I-1/f关系图，然后利用公式拟合，拟合的τ为上转换中间能级寿命。采用单光束，用可见光探测器测量红外能级荧光寿命，测量过程简单，可用于Er3+掺杂材料的荧光寿命。
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公开(公告)号：CN116465860B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202211359268.5
申请日：2022-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 基于双劈尖与马赫曾德尔干涉仪的透明液体浓度测量装置，它涉及一种透明液体浓度测量装置。本发明为了解决现有阿贝折射仪和马赫曾德尔干涉仪在进行液体折射率测量时，均存在缺陷和不足的问题。本发明的样品池是双劈尖样品池，样品池由长方形槽体、中心隔板和分隔壁组成，中心隔板沿长方形槽体的对角线设置在长方形槽体内，中心隔板将长方形槽体内分成两个直角三角形槽体，一个直角三角形槽体为标准液B区，分隔壁设置在另一个直角三角形槽体，且分隔壁将另一个直角三角形槽体分成标准液A区和待测溶液区。本发明属于物理教学领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111458312A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010158345.5
申请日：2020-03-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种软脆光学晶体加工表层微区荧光性缺陷检测光学系统，涉及一种光学晶体缺陷检测光学系统。目的是解决现有晶体表层缺陷检测装置无法获得晶体表层缺陷的受激荧光的稳态光谱和内部结构的问题。检测光学系统由可变波长激光器、第一反射镜、光阑、二向色镜、显微物镜、晶体元件、载物台、白光光源、第二反射镜、滤光片、第一透镜、光纤、光谱仪、时间相关单光子计数器、计算机、第三反射镜、第二透镜和CCD相机构成。本发明即可以实现晶体元件表层缺陷，也能够实现表层缺陷激发稳态荧光光谱以及表层缺陷激发瞬态荧光光谱的检测。本发明适用于晶体表层缺陷检测。
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公开(公告)号：CN102661795A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210173446.5
申请日：2012-05-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 泵浦光与信号光同步斩波、信号光分区记录的泵浦-探测光谱的方法及实现装置，属于光学领域，本发明为解决有背景探测的泵浦-探测技术当激光输出能量有低频起伏时，测量结果中存在偶然误差的问题。本发明方法为：光学斩波器的偶数孔作遮光处理；同步输入泵浦光和探测光作为泵浦-探测光谱的光源；先利用光学斩波器将延迟t时刻的泵浦光的重复频率减半；泵浦光和探测光依次入射样品，输出信号光；再利用分束器和光学斩波器将信号光分开，形成有泵浦光作用和无泵浦光作用两束信号光，两束信号光分别经光纤收集、成像单色仪分光后入射到成像CCD上下两个区域，经成像CCD单次或多次曝光后同步获取有泵浦光谱信号光谱和无泵浦光谱信号光谱。
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公开(公告)号：CN101788485A
公开(公告)日：2010-07-28
申请号：CN201010300207.2
申请日：2010-01-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 一种铒离子上转换中间能级寿命的测量方法，它涉及荧光寿命的测量方法，本发明解决了现有的测量红外荧光寿命的方法需要昂贵的红外探测器、测试过程复杂、需要引入双光束和双光束之间的延迟变化，检测难度大的问题。本发明该方法是由延迟信号发生器、短脉冲激光器、高压脉冲发生器、增强型电荷耦合器和光栅光谱仪组成测试系统，被测材料经脉冲照射而发出的荧光进入光谱仪检测光强；在单脉冲能量不变的条件下，测出不同激发频率下及相应的可见光强度，绘出I-1/f关系图，然后利用公式拟合，拟合的τ为上转换中间能级寿命。采用单光束，用可见光探测器测量红外能级荧光寿命，测量过程简单，可用于Er3+掺杂材料的荧光寿命。
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公开(公告)号：CN116465860A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211359268.5
申请日：2022-11-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N21/45
Abstract: 基于双劈尖与马赫曾德尔干涉仪的透明液体浓度测量装置，它涉及一种透明液体浓度测量装置。本发明为了解决现有阿贝折射仪和马赫曾德尔干涉仪在进行液体折射率测量时，均存在缺陷和不足的问题。本发明的样品池是双劈尖样品池，样品池由长方形槽体、中心隔板和分隔壁组成，中心隔板沿长方形槽体的对角线设置在长方形槽体内，中心隔板将长方形槽体内分成两个直角三角形槽体，一个直角三角形槽体为标准液B区，分隔壁设置在另一个直角三角形槽体，且分隔壁将另一个直角三角形槽体分成标准液A区和待测溶液区。本发明属于物理教学领域。
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公开(公告)号：CN102661795B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201210173446.5
申请日：2012-05-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 泵浦光与信号光同步斩波、信号光分区记录的泵浦-探测光谱的方法及实现装置，属于光学领域，本发明为解决有背景探测的泵浦-探测技术当激光输出能量有低频起伏时，测量结果中存在偶然误差的问题。本发明方法为：光学斩波器的偶数孔作遮光处理；同步输入泵浦光和探测光作为泵浦-探测光谱的光源；先利用光学斩波器将延迟t时刻的泵浦光的重复频率减半；泵浦光和探测光依次入射样品，输出信号光；再利用分束器和光学斩波器将信号光分开，形成有泵浦光作用和无泵浦光作用两束信号光，两束信号光分别经光纤收集、成像单色仪分光后入射到成像CCD上下两个区域，经成像CCD单次或多次曝光后同步获取有泵浦光谱信号光谱和无泵浦光谱信号光谱。
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