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公开(公告)号：CN105021631B
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201510344597.6
申请日：2015-06-19
Applicant: 同济大学
IPC: G01N21/896
Abstract: 本发明涉及一种透射型光学基板中结构性缺陷初始损伤特征判定方法，包括：基于泵浦探测技术，建立亚微米空间分辨和纳秒时间分辨的双光束成像系统；制备出具有不同尺寸结构性缺陷的透射型光学基板；获得透射型光学基板同一位置在不同时间的两张图像，比较两张图像上初始损伤的尺寸和轮廓特征的差异，建立不同尺寸结构性缺陷的初始损伤特征；对实际光学基板进行缺陷检测，采用所述双光束成像系统拍摄其损伤行为，并与建立的不同尺寸结构性缺陷初始损伤特征进行比对，实现对透射型光学基板损伤的结构性缺陷的诊断和判定。与现有技术相比，本发明具有对结构性缺陷初始损伤尺寸、生长速率、扩展方向和损伤阈值等信息进行分析的优点。
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公开(公告)号：CN104977303B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510344616.5
申请日：2015-06-19
Applicant: 同济大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明涉及一种面向透射型光学基板中吸收性缺陷深度位置的检测方法，包括：建立微米空间分辨和纳秒时间分辨的成像系统；将金属颗粒旋涂在光学基板表面，再镀制与光学基板质地类似的不同厚度的薄膜，等效将吸收性缺陷植入在光学基板的不同深度位置；利用所述成像系统拍摄相同深度位置缺陷在不同时间阶段、不同深度位置缺陷在同一时间阶段的损伤行为，建立不同深度位置缺陷的损伤行为判定标准；对实际光学基板进行缺陷深度检测，并与建立的不同深度位置缺陷损伤行为判定标准进行比对，实现吸收性缺陷的深度位置检测。与现有技术相比，本发明能对缺陷损伤特征、所在深度位置和损伤阈值等信息进行分析，具有识别精度高、实现简单的优点。
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公开(公告)号：CN103885099B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410050337.3
申请日：2014-02-13
Applicant: 同济大学
IPC: G02B1/11
Abstract: 本发明涉及一种基于多次迭代刻蚀技术的透射型光学元件损伤阈值提升方法，该方法包括以下步骤：采用高浓度氢氟酸溶液对光学元件进行快速刻蚀，刻蚀深度为d1；利用环形抛光机对光学元件进行快速抛光，抛光去除深度为d2；光学元件在300度高温下烘烤，然后利用离子源对光学元件表面进行轰击刻蚀，刻蚀深度为d3；再次低速抛光处理，抛光去除深度为d4；再次利用离子源对光学元件表面进行轰击刻蚀，刻蚀深度为d5。与现有技术相比，本发明具有针对性强、重复性好等优点，通过多次迭代刻蚀，特别是采用逐次递减的去除深度和去除速率，能够大幅提升透射型光学元件的损伤阈值。
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公开(公告)号：CN105424712A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510906667.2
申请日：2015-12-09
Applicant: 同济大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明涉及一种激光损伤初期材料喷射行为的诊断方法，该方法用于透射型光学基板在发生激光损伤后粒子喷射行为的诊断和捕获，该方法包括以下步骤：①基于泵浦探测技术，建立包含一台纳秒脉冲激光器的微米空间分辨和纳秒时间分辨的双探测光单相机成像系统；②根据所述双探测光单相机成像系统获取喷射粒子在同一位置、设定时间间隔的图像；③比较图像上喷射粒子的差异，根据图像处理技术获得粒子的长度和位置信息，获取喷射粒子行为，包括喷射粒子的喷射方向、喷射速度和等效尺寸。与现有技术相比，本发明具有可靠性高、精确度高等优点。
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公开(公告)号：CN105424712B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510906667.2
申请日：2015-12-09
Applicant: 同济大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明涉及一种激光损伤初期材料喷射行为的诊断方法，该方法用于透射型光学基板在发生激光损伤后粒子喷射行为的诊断和捕获，该方法包括以下步骤：①基于泵浦探测技术，建立包含一台纳秒脉冲激光器的微米空间分辨和纳秒时间分辨的双探测光单相机成像系统；②根据所述双探测光单相机成像系统获取喷射粒子在同一位置、设定时间间隔的图像；③比较图像上喷射粒子的差异，根据图像处理技术获得粒子的长度和位置信息，获取喷射粒子行为，包括喷射粒子的喷射方向、喷射速度和等效尺寸。与现有技术相比，本发明具有可靠性高、精确度高等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103954625B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410050368.9
申请日：2014-02-13
Applicant: 同济大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明涉及一种面向激光薄膜内部缺陷的溯源式损伤阈值测量技术，包括：将被测样品进行坐标零点标记，通过电动平移台控制移动，在被测样品不同的制备阶段分别进行全区域扫描；外触发式相机对被测样品的每个位置进行图片采集，并将所有缺陷进行识别、坐标校准、处理分析，获得不同缺陷的引入源头和特征信息；选取被测样品上任意缺陷，在泵浦激光器辐照前后分别由外触发相机拍照，比较两幅图像的差异判断缺陷是否损伤；提升泵浦激光能量，实现不同能量下的测量；提取缺陷在不同制备阶段的特征信息，实现缺陷在全流程工序中的溯源追踪。与现有技术相比，本发明具有对缺陷引入源头、特征尺寸、坐标位置和损伤阈值等信息进行溯源分析的优点。
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公开(公告)号：CN103954625A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410050368.9
申请日：2014-02-13
Applicant: 同济大学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明涉及一种面向激光薄膜内部缺陷的溯源式损伤阈值测量技术，包括：将被测样品进行坐标零点标记，通过电动平移台控制移动，在被测样品不同的制备阶段分别进行全区域扫描；外触发式相机对被测样品的每个位置进行图片采集，并将所有缺陷进行识别、坐标校准、处理分析，获得不同缺陷的引入源头和特征信息；选取被测样品上任意缺陷，在泵浦激光器辐照前后分别由外触发相机拍照，比较两幅图像的差异判断缺陷是否损伤；提升泵浦激光能量，实现不同能量下的测量；提取缺陷在不同制备阶段的特征信息，实现缺陷在全流程工序中的溯源追踪。与现有技术相比，本发明具有对缺陷引入源头、特征尺寸、坐标位置和损伤阈值等信息进行溯源分析的优点。
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公开(公告)号：CN103949771B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410050350.9
申请日：2014-02-13
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于特征人工节瘤缺陷的高反射薄膜激光预处理技术，包括：利用SiO2颗粒或金属颗粒制备出包含不同特征人工节瘤缺陷的高反射薄膜被测样品；分别测量获得同种类型人工节瘤缺陷在未进行激光预处理和进行激光预处理后的损伤阈值，依据损伤阈值提升的幅度优化激光预处理工序中的初始能量梯度、能量递增梯度和最大能量梯度；在获得单一缺陷最优激光预处理工艺的基础上，进一步研究其它类型缺陷的最优工艺；最终可以根据实际样品中缺陷的类型和尺寸，选择最优的激光预处理工艺，实现实际样品损伤阈值的最大提升。与现有技术相比，本发明针对高反射薄膜中损伤阈值最低、且最容易率先发生损伤的节瘤缺陷，以特征人工节瘤缺陷的损伤阈值提升为标准，能够获得最优激光预处理工艺。
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公开(公告)号：CN103949771A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410050350.9
申请日：2014-02-13
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种基于特征人工节瘤缺陷的高反射薄膜激光预处理技术，包括：利用SiO2颗粒或金属颗粒制备出包含不同特征人工节瘤缺陷的高反射薄膜被测样品；分别测量获得同种类型人工节瘤缺陷在未进行激光预处理和进行激光预处理后的损伤阈值，依据损伤阈值提升的幅度优化激光预处理工序中的初始能量梯度、能量递增梯度和最大能量梯度；在获得单一缺陷最优激光预处理工艺的基础上，进一步研究其它类型缺陷的最优工艺；最终可以根据实际样品中缺陷的类型和尺寸，选择最优的激光预处理工艺，实现实际样品损伤阈值的最大提升。与现有技术相比，本发明针对高反射薄膜中损伤阈值最低、且最容易率先发生损伤的节瘤缺陷，以特征人工节瘤缺陷的损伤阈值提升为标准，能够获得最优激光预处理工艺。
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公开(公告)号：CN103885099A
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201410050337.3
申请日：2014-02-13
Applicant: 同济大学
IPC: G02B1/11
Abstract: 本发明涉及一种基于多次迭代刻蚀技术的透射型光学元件损伤阈值提升方法，该方法包括以下步骤：采用高浓度氢氟酸溶液对光学元件进行快速刻蚀，刻蚀深度为d1；利用环形抛光机对光学元件进行快速抛光，抛光去除深度为d2；光学元件在300度高温下烘烤，然后利用离子源对光学元件表面进行轰击刻蚀，刻蚀深度为d3；再次低速抛光处理，抛光去除深度为d4；再次利用离子源对光学元件表面进行轰击刻蚀，刻蚀深度为d5。与现有技术相比，本发明具有针对性强、重复性好等优点，通过多次迭代刻蚀，特别是采用逐次递减的去除深度和去除速率，能够大幅提升透射型光学元件的损伤阈值。
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