-
公开(公告)号：CN1701862A
公开(公告)日：2005-11-30
申请号：CN200510026933.9
申请日：2005-06-20
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种钨酸盐纳米薄膜荧光增效的新方法。以TiCl4水解制备纳米TiO2增敏剂；配制0.4mol/L的金属盐和钨源溶液。再将环己烷、吐温－80依次加入其中，混匀。再加入戊醇搅拌至澄清。迅速将两者混合，于室温下搅匀。12小时后，加入丙酮破乳，离心。沉淀依次用无水乙醇、丙酮、蒸馏水清洗，存于无水乙醇中。移去上清液，添加TiO2增敏剂并加入火棉胶搅拌1小时，即为本发明的掺杂TiO2镀膜材料。将洁净载玻片浸入并控制提拉速度为35mm/min，风干。将其置于马弗炉中，200℃保温30分钟，500℃恒温1小时后退火，即得荧光增效的钨酸盐纳米薄膜。本发明原料易得，成本低廉，操作和仪器设备简便，产物纯度高，光、电性能优越，易于工业化，为钨酸盐纳米薄膜的荧光增效提供了新的途径。
-
公开(公告)号：CN100395187C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200610117071.5
申请日：2006-10-12
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明属于无机纳米材料技术领域，具体涉及一种IIB硫化物纳米材料的制备方法。具体步骤为：取新鲜鸡蛋内膜，洗净，晾干，再于氯仿/邻菲罗啉的混合溶液中浸泡，制得支撑液膜；分别配制浓度为0.10-0.40mol/L的溶液A和溶液B，溶液A与溶液B的摩尔浓度比为1∶1，将溶液A、溶液B分别置于所得支撑液膜左、右两侧，静置反应36-60小时，取出容器一侧含有沉淀的溶液，离心分离，洗涤，即可获得本发明所需产物。该产物粒径为10～180纳米。本发明原料易得，成本低廉，操作简单，仪器设备简便，产物结构新颖，纯度高，处理方便，易于工业化，为纳米材料的控制合成提供了新的途径和思路。
-
公开(公告)号：CN100384741C
公开(公告)日：2008-04-30
申请号：CN200610030351.2
申请日：2006-08-24
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明属于无机纳米材料领域，具体涉及一种杯芳烃调控溶剂热体系制备铅的硫属化合物纳米材料的方法。将铅盐、杯[4]芳烃置于容器中，以甲苯为溶剂，在70-90℃温度下搅拌0.8-1.5小时，将混合液移入反应釜中，再向反应釜中加入硫属源，同时加入甲苯至反应釜容积的3/5-4/5，密封，在150-200℃下反应18-30小时，将反应釜自然冷却至室温，取出所得产物，洗涤、分离、干燥，即得所需产物；其中：铅盐和硫属源的摩尔比为1∶1。铅盐为Pb(NO3)2、PbAc2等中任一种。硫属源为硫脲、硫粉、硒粉等中任一种。本发明原料易得，成本低廉，操作简单，仪器设备简便，纯度高，处理方便，易于工业化，为纳米材料的控制合成提供了新的途径。
-
公开(公告)号：CN1911816A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610030160.6
申请日：2006-08-17
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明属于高分子纳米材料技术领域，具体涉及一种钨酸汞纳米材料的制备方法。分别称取汞盐和钨源，然后将其分别溶于水中配制成溶液，并分置于两个容器中，其中汞盐与钨源的摩尔比为1∶1，配制的汞盐与钨源溶液的浓度分别为0.05～0.30摩尔/升；将所得任一种溶液置于超声反应器中，在超声状态下，将另一种溶液以0.02～20.00毫升/分钟的速度滴入其中，超声时间为0～6小时，静置，离心分离，洗涤，即得到所需产物，该产物粒径为100～2000纳米。本发明原料易得，成本低廉，操作简单，仪器设备简便，产物形貌、结构易控，纯度高，处理方便，易于工业化，为纳米材料的控制合成提供了新的途径。
-
公开(公告)号：CN1693283A
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：CN200510026632.6
申请日：2005-06-09
Applicant: 同济大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/624
Abstract: 本发明涉及一种钨酸盐纳米薄膜制备的新方法。配制0.4mol/L的金属盐和钨源溶液。然后将环己烷、吐温－80依次加入其中，混匀。再加入戊醇搅拌至澄清。迅速将两者混合，于室温下搅匀。12小时后，加入丙酮破乳，离心。沉淀依次用无水乙醇、丙酮、蒸馏水清洗，获得本发明的原料，存于无水乙醇中。移去上清液，于室温下搅拌30分钟，加入2ml火棉胶搅拌1小时，即为本发明的镀膜材料。将洗净的玻璃基片浸入并控制提拉速度为35mm/min，室温下放置20分钟，风干。将其置于马弗炉中，200℃保温30分钟，500℃恒温1小时后退火。即得钨酸盐纳米薄膜。本发明原料易得，成本低廉，操作和仪器设备简便，产物纯度高，光、电性能优越，易于工业化，为纳米薄膜的控制合成提供了新的途径。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100558471C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200510026933.9
申请日：2005-06-20
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种钨酸盐纳米薄膜荧光增效的新方法。以TiCl4水解制备纳米TiO2增敏剂；配制0.4mol/L的金属盐和钨源溶液。再将环己烷、吐温-80依次加入其中，混匀。再加入戊醇搅拌至澄清。迅速将两者混合，于室温下搅匀。12小时后，加入丙酮破乳，离心。沉淀依次用无水乙醇、丙酮、蒸馏水清洗，存于无水乙醇中。移去上清液，添加TiO2增敏剂并加入火棉胶搅拌1小时，即为本发明的掺杂TiO2镀膜材料。将洁净载玻片浸入并控制提拉速度为35mm/min，风干。将其置于马弗炉中，200℃保温30分钟，500℃恒温1小时后退火，即得荧光增效的钨酸盐纳米薄膜。本发明原料易得，成本低廉，操作和仪器设备简便，产物纯度高，光、电性能优越，易于工业化，为钨酸盐纳米薄膜的荧光增效提供了新的途径。
-
公开(公告)号：CN100364896C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200610030160.6
申请日：2006-08-17
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明属于高分子纳米材料技术领域，具体涉及一种钨酸汞的制备方法。分别称取汞盐和钨源，然后将其分别溶于水中配制成溶液，并分置于两个容器中，其中汞盐与钨源的摩尔比为1∶1，配制的汞盐与钨源溶液的浓度分别为0.05～0.30摩尔/升；将所得任一种溶液置于超声反应器中，在超声状态下，将另一种溶液以0.02～20.00毫升/分钟的速度滴入其中，超声时间为0～6小时，静置，离心分离，洗涤，即得到所需产物，该产物粒径为100～2000纳米。本发明原料易得，成本低廉，操作简单，仪器设备简便，产物形貌、结构易控，纯度高，处理方便，易于工业化，为纳米材料的控制合成提供了新的途径。
-
公开(公告)号：CN1931726A
公开(公告)日：2007-03-21
申请号：CN200610117071.5
申请日：2006-10-12
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明属于无机纳米材料技术领域，具体涉及一种IIB硫化物纳米空心球材料的制备方法。具体步骤为：取新鲜鸡蛋内膜，洗净，晾干，再于氯仿/邻菲罗啉的混合溶液中浸泡，制得支撑液膜；分别配制浓度为0.10－0.40mol/L的溶液A和溶液B，溶液A与溶液B的摩尔浓度比为1∶1，将溶液A、溶液B分别置于所得支撑液膜左、右两侧，静置反应36－60小时，取出容器一侧含有沉淀的溶液，离心分离，洗涤，即可获得本发明所需产物。该产物粒径为10～180纳米。本发明原料易得，成本低廉，操作简单，仪器设备简便，产物结构新颖，纯度高，处理方便，易于工业化，为纳米材料的控制合成提供了新的途径和思路。
-
公开(公告)号：CN1907863A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200610030351.2
申请日：2006-08-24
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明属于无机纳米材料领域，具体涉及一种杯芳烃调控溶剂热体系制备铅的硫属化合物纳米材料的方法。将铅盐、杯[4]芳烃置于容器中，以甲苯为溶剂，在70－90℃温度下搅拌0.8－1.5小时，将混合液移入反应釜中，再向反应釜中加入硫属源，同时加入甲苯至反应釜容积的3/5－4/5，密封，在150－200℃下反应18－30小时，将反应釜自然冷却至室温，取出所得产物，洗涤、分离、干燥，即得所需产物；其中：铅盐和硫属源的摩尔比为1∶1。铅盐为Pb(NO3)2、PbAc2等中任一种。硫属源为硫脲、硫粉、硒粉等中任一种。本发明原料易得，成本低廉，操作简单，仪器设备简便，纯度高，处理方便，易于工业化，为纳米材料的控制合成提供了新的途径。
-
公开(公告)号：CN1715190B
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200510026934.3
申请日：2005-06-20
Applicant: 同济大学
Abstract: 以青葱为模板和反应器一步生产IIB族硫化物半导体纳米材料的方法，涉及一种纳米材料的制备工艺。先将青葱用蒸馏水洗干净。配制浓度为0.05～0.20mol/L含汞、镉、锌等金属离子和含硫离子溶液分置于两个容器中。先将青葱根部朝下竖直放入盛有其中一种溶液的容器中，并使其根茎全部被浸没，仅露出叶片。与此同时，缓慢向叶片的孔洞中注入另一种溶液，保持叶片孔洞中溶液高度低于孔洞约2厘米，24小时后取出。最后将青葱上的产物转入无水乙醇中，得到IIB族硫化物半导体纳米材料。本发明成本低廉、工艺简单、无任何污染、产率达90％，产物具有良好光学性能。可广泛用于网状、球状、颗粒状等IIB族硫化物半导体纳米材料的合成与制备。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.015 seconds)
