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公开(公告)号：CN118980860A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411168206.5
申请日：2024-08-23
IPC: G01R23/14
Abstract: 本发明公开了一种基于感生荧光效应的425nm波长基准构建方法及装置，涉及跃迁频率测量领域，装置包括，连续可调谐激光器，原子炉，铬原子束，光学频率梳，倍频光路，保偏光纤分束器，保偏光纤合束器，拍频检测光路，光电接收器以及频率计数器；连续可调谐激光器的输出端与保偏光纤分束器的输入端连接；光学频率梳的输出端与倍频光路连接；倍频光路和和保偏光纤分束器的第一输出端分别与光纤合束器的输入端连接；铬原子束经原子炉喷发与保偏光纤分束器的第二输出端发生作用；保偏光纤合束器的输出端与拍频检测光路的输入端连接；拍频检测光路的输出端通过光电接收器与频率计数器的输入端连接。本方法填补了蓝紫光波段波长基准的空白。
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公开(公告)号：CN118914596A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410993767.2
申请日：2024-07-24
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法，属于纳米计量溯源技术领域，包括如下步骤：S1、采用原子光刻技术制备掩膜光栅；S2、利用软X射线干涉光刻技术制备得到硅光栅；S3、基于原子能级跃迁波长计算硅光栅的理论周期值；S4、基于硅光栅的TEM图像，以硅晶面间距为基准标尺测量硅光栅的实际周期值；S5、通过比较硅光栅的理论周期值与实际周期值给出两种溯源传递方式的一致性评价。本发明采用上述的一种原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对测量方法，实现了原子能级跃迁波长与硅晶面间距的比对，比较了两种长度溯源链的准确性和一致性。
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公开(公告)号：CN113566714B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202110862699.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种自溯源型光栅干涉精密位移测量系统，包括相干光源、光电探测模块、自溯源光栅和信号处理模块，所述自溯源光栅设置于待测的位移运动平台上，所述相干光源、光电探测模块和信号处理模块依次连接，所述相干光源产生的激光经光电探测模块传播后，入射至自溯源光栅，与自溯源光栅发生衍射作用，返回至光电探测模块中继续传播，进入信号处理模块，信号处理模块采集干涉信号获取运动位移量和运动方向。与现有技术相比，本发明克服了位移测量溯源难度大和光栅刻线密度低的缺点，其直接溯源的测量途径具有位移测量准确性高、鲁棒性强的优势。
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公开(公告)号：CN111650680B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010575620.3
申请日：2020-06-22
Applicant: 同济大学 , 中国科学院上海应用物理研究所
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明涉及一种精确缩短节距值的自溯源光栅标准物质制备方法，该方法基于激光汇聚原子沉积技术和软X射线干涉光刻技术，制备百纳米尺度及以下的小节距溯源标准物质，包括以下步骤：1)获取掩膜版基板；2)采用激光汇聚原子沉积技术，在掩膜版基板上，沉积制备掩膜版；3)获取光刻胶样品，该光刻胶样品包括光刻胶和第二衬底；采用掩膜版，通过软X射线干涉光刻技术，对光刻胶进行曝光和显影，得到光刻胶光栅结构；4)将光刻胶光栅结构转移到第二衬底上，获取自溯源光栅标准物质。与现有技术相比，本发明制备的自溯源光栅标准物质具有高精度、溯源性和精确缩短节距值等优点。
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公开(公告)号：CN108919398A
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201810548515.3
申请日：2018-05-31
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种二维原子光刻栅格结构制备方法，包括以下步骤：基于原子光刻技术在基板上进行第一次原子光刻，得到一维原子光刻沉积光栅样板；利用光阑的限位作用，保持会聚光指向与光栅样板的平面法向量指向不变，将光栅样板旋转角度θ；调整会聚光形成的驻波场空间高度使其与金属原子束待沉积区域存在重叠部分，在沉积光栅样板上进行第二次原子光刻，形成二维原子光栅菱形栅格结构，且菱形的其中一个内角与旋转角度相等。与现有单次沉积方法相比，本发明克服了二维激光冷却和二维光学势阱效果难以保证的问题，化繁为简，具备操作方便，栅格角度可控等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119126248A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411284562.3
申请日：2024-09-13
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明公开了一种基于自溯源光栅的高精度MOEMS相对重力仪，属于检测仪表领域，包括MEMS谐振子、自溯源光栅干涉仪和数据处理模块，所述MEMS谐振子包括折叠梁、固定框架和质量块，所述折叠梁两端与所述固定框架内侧壁连接，所述质量块通过所述折叠梁支撑悬浮于所述固定框架中心，所述自溯源光栅干涉仪包括自溯源光栅和干涉测量读数头，所述自溯源光栅设置在所述质量块上。本发明采用上述的一种基于自溯源光栅的高精度MOEMS相对重力仪，具有极高测量度，并且位移测量可实时溯源，相比于传统MOMES相对重力仪能够提高其位移测量的准确度，减小重力加速度测量的非线性效应。
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公开(公告)号：CN116500711B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310400575.1
申请日：2023-04-14
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种具备自溯源角度的二维光栅标准物质及其制备方法，该方法具体为：掩膜版基板的设计和加工，掩膜版基板上开有四个窗口(3)，四个相同大小的窗口(3)在掩膜版基板中间区域呈十字形对称分布；掩膜版的制造，采用激光汇聚原子沉积技术，在掩膜版基板上沉积原子光刻光栅；光刻胶光栅的制备，采用软X射线干涉光刻技术，曝光和显影光刻胶得到光刻胶图形；二维光栅标准物质的获取，经过刻蚀将光刻胶图形转移到第二衬底上。与现有技术相比，本发明制备的在亚200nm尺度内的二维自溯源光栅标准物质，不仅同时具备自溯源的长度标准与角度标准，而且可以向硅材料转移，具有准确性高、一致性好和兼容性强等优点。
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公开(公告)号：CN113777685B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111002683.0
申请日：2021-08-30
Applicant: 同济大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明涉及一种基于扫描原子光刻技术的大面积自溯源光栅制备方法，其特征在于，包括以下步骤：基于原子光刻技术，采用原子束和激光会聚驻波场的相互作用，在基板上进行局部自溯源光栅结构制备；使用道威棱镜控制所述激光会聚驻波场沿垂直于光栅沟槽方向扫描沉积区域，逐步实现沉积区域自溯源光栅全局覆盖，形成大面积自溯源光栅。与现有技术相比，本发明克服了由于汇聚能量密度降低导致的光栅边缘粗化等问题，具备操作简便，光栅面积扩展空间大的优点。
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公开(公告)号：CN113777685A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111002683.0
申请日：2021-08-30
Applicant: 同济大学
IPC: G02B5/18
Abstract: 本发明涉及一种基于扫描原子光刻技术的大面积自溯源光栅制备方法，其特征在于，包括以下步骤：基于原子光刻技术，采用原子束和激光会聚驻波场的相互作用，在基板上进行局部自溯源光栅结构制备；使用道威棱镜控制所述激光会聚驻波场沿垂直于光栅沟槽方向扫描沉积区域，逐步实现沉积区域自溯源光栅全局覆盖，形成大面积自溯源光栅。与现有技术相比，本发明克服了由于汇聚能量密度降低导致的光栅边缘粗化等问题，具备操作简便，光栅面积扩展空间大的优点。
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公开(公告)号：CN111650819A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN202010575583.6
申请日：2020-06-22
Applicant: 中国科学院上海应用物理研究所 , 同济大学
Abstract: 本发明涉及基于自溯源光栅的极紫外光刻胶质量检测装置和方法，方法包括以下步骤：1)利用原子光刻技术制备掩膜光栅；2)获取涂有待测极紫外光刻胶膜层的衬底；3)基于获取的掩膜光栅，对所述衬底进行双光栅干涉，获取待测光刻胶图形；4)根据自溯源特性，基于所述掩膜光栅的周期节距值，计算待测光刻胶图形的理论周期节距值，并以待测光刻胶图形的理论周期节距值为标尺，判断待测极紫外光刻胶的质量。与现有技术相比，本发明通过原子光刻技术制备掩膜光栅，具有测量学上周期节距的自溯源性，可以为EUV光刻胶测量数据提供直接的精准标尺，解决了测量设备所带来的实验误差，提高了极紫外光刻胶质量检测的精度。
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