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公开(公告)号：CN103231302B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310127749.8
申请日：2013-04-12
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法，包括以下步骤：(1)使用规格为W1的碳化硼作为磨料在铸铁盘上对晶体进行研磨；(2)使用粒径为1μm的氧化铈抛光液在沥青盘上对晶体进行抛光；(3)将晶体表面浸入有机溶剂中，超声处理30-60秒；(4)使用粒径为100nm的二氧化硅抛光液在聚氨酯抛光垫上对晶体抛光10～15分钟；(5)将晶体置于有机溶剂中超声清洗30-60秒，用高倍显微镜观察晶体表面形貌；(6)若晶体表面仍有划痕，重复步骤(2)～(5)，并将步骤(2)中粒径为1μm的氧化铈抛光液换成粒径为100-300nm的氧化铈抛光液。与现有技术相比，本发明操作简单，加工效率高，便于推广。
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公开(公告)号：CN103121190A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201310024139.5
申请日：2013-01-22
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于双轴研抛机的夹持工具，包括开设有圆孔的中央套筒，圆孔内设置紧固C型黄铜圈，对称设置在中央套筒的两侧的半圆弧形支架，支架上开设有带螺纹的丝孔以及接在半圆弧形支架上的轴承部件。与现有技术相比，本发明在研磨或抛光盘上可以在研磨或抛光的时候，样品盘在转动前进的同时，还可以推动修整盘旋转前进，达到边修边抛的效果。本发明结构简单，通过不锈钢器件实现。与现有工具相比能大大提高在普通摆轴式抛光机上的研磨抛光效果，可操作性强，可靠行高，对应用环境没有额外的要求，非常适合实验室高精度研磨抛光需求和规模化生产的改造。
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公开(公告)号：CN103121190B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201310024139.5
申请日：2013-01-22
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种应用于双轴研抛机的夹持工具，包括开设有圆孔的中央套筒，圆孔内设置紧固C型黄铜圈，对称设置在中央套筒的两侧的半圆弧形支架，支架上开设有带螺纹的丝孔以及接在半圆弧形支架上的轴承部件。与现有技术相比，本发明在研磨或抛光盘上可以在研磨或抛光的时候，样品盘在转动前进的同时，还可以推动修整盘旋转前进，达到边修边抛的效果。本发明结构简单，通过不锈钢器件实现。与现有工具相比能大大提高在普通摆轴式抛光机上的研磨抛光效果，可操作性强，可靠行高，对应用环境没有额外的要求，非常适合实验室高精度研磨抛光需求和规模化生产的改造。
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公开(公告)号：CN103231302A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310127749.8
申请日：2013-04-12
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法，包括以下步骤：(1)使用规格为W1的碳化硼作为磨料在铸铁盘上对晶体进行研磨；(2)使用粒径为1μm的氧化铈抛光液在沥青盘上对晶体进行抛光；(3)将晶体表面浸入有机溶剂中，超声处理30-60秒；(4)使用粒径为100nm的二氧化硅抛光液在聚氨酯抛光垫上对晶体抛光10～15分钟；(5)将晶体置于有机溶剂中超声清洗30-60秒，用高倍显微镜观察晶体表面形貌；(6)若晶体表面仍有划痕，重复步骤(2)～(5)，并将步骤(2)中粒径为1μm的氧化铈抛光液换成粒径为100-300nm的氧化铈抛光液。与现有技术相比，本发明操作简单，加工效率高，便于推广。
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