薄膜硅太阳能电池的背散射表面及其制备方法

    公开(公告)号:CN102420260A

    公开(公告)日:2012-04-18

    申请号:CN201110342263.7

    申请日:2011-11-03

    Applicant: 同济大学

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及薄膜太阳能电池的背散射表面及其制备方法,作为背散射表面的薄膜为复合膜,由与衬底直接接触的较低温度下易改变形貌的金属与Ag膜复合而成,金属膜的厚度范围是250nm~600nm,Ag膜的厚度范围是20nm~50nm,且复合膜的表面呈现亚微米尺度的粗糙结构形貌。制备采用物理气相沉积方法,在高真空环境中:在对衬底加热的条件下,在衬底上先沉积金属膜,再沉积Ag膜,构成复合膜;或者,在室温条件下,在衬底上先沉积金属膜,再沉积Ag膜,构成复合膜,然后对沉积的复合膜进行真空热处理,温度均为150~250℃。形成的复合膜表面具有大的漫射特性,且金属膜改变形貌的温度比较低,降低表面粗糙化所需要的热处理温度,同时减少了贵金属Ag的消耗,降低制作成本。

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