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公开(公告)号:CN111411392A
公开(公告)日:2020-07-14
申请号:CN202010189191.6
申请日:2020-03-18
Abstract: 本发明提出的一种大截面溴化钾晶体的生长方法,属于碱金属卤化物型光学晶体生长工艺领域,该生长方法是采用提拉法在大气环境下生长大截面溴化钾晶体的方法,包括籽晶的制备、块料压制、石英坩埚底部温度补偿和提拉法生长晶体步骤。该方法可以获得直径300mm以上的大截面高质量的溴化钾晶体毛坯。所获得的晶体测试表明:该溴化钾晶体在红外波段具有低于3%的吸收,溴化钾是典型的碱金属卤化物离子晶体,透过波段宽0.3μm~34μm,透过率高95%,广泛应用于激光器窗口材料。
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公开(公告)号:CN112281216A
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:CN202011129518.7
申请日:2020-10-21
Applicant: 长春理工大学
Abstract: 本发明涉及一种新型磁光晶体TASGG的生长方法。本发明涉及包括采用液相共沉淀法制备多晶原料以及原料处理;磁光晶体生长工艺理论,包括抽真空、设置系统、升温熔料、下籽晶、引晶、放肩、拉伸、停炉等。本发明采用中频感应晶体提拉炉,使用铱金坩埚进行生长。本发明结合了TGG晶体、TAG晶体和TSAG晶体的优点,生长出一种新型磁光晶体TASGG,生长出的晶体完整性好,磁光性能优良,工艺稳定,具有广阔的应用前景。
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