一种TASGG磁光晶体制备方法

    公开(公告)号:CN112281216A

    公开(公告)日:2021-01-29

    申请号:CN202011129518.7

    申请日:2020-10-21

    Abstract: 本发明涉及一种新型磁光晶体TASGG的生长方法。本发明涉及包括采用液相共沉淀法制备多晶原料以及原料处理;磁光晶体生长工艺理论,包括抽真空、设置系统、升温熔料、下籽晶、引晶、放肩、拉伸、停炉等。本发明采用中频感应晶体提拉炉,使用铱金坩埚进行生长。本发明结合了TGG晶体、TAG晶体和TSAG晶体的优点,生长出一种新型磁光晶体TASGG,生长出的晶体完整性好,磁光性能优良,工艺稳定,具有广阔的应用前景。

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