公开(公告)号：CN115627534A

公开(公告)日：2023-01-20

申请号：CN202211376410.7

申请日：2022-11-04

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 李春 ,  石学明 ,  杨蔚岭 ,  陈汝嘉 ,  曾繁明 ,  林海 ,  刘丽娜 ,  李莎莎 ,  姜喜亮 ,  冷壮 ,  张天庆

IPC: C30B29/12 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02

Abstract: 掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体及其生长方法属于发光材料技术领域。现有CsPbBr3钙钛矿材料的环境稳定性较差。本发明之掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体以CsPbBr3为发光中心，所述掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体属立方晶系，分子式为KBr:CsPbBr3，CsPbBr3为掺杂，晶体基质为KBr。本发明之掺杂溴化铅铯的溴化钾晶体的生长方法其步骤包括生长料制备、晶体生长以及退火，在生长料制备步骤中，按CsBr:PbBr2＝1.2～1.8:1的摩尔比加入CsBr、PbBr2，按CsPbBr3在KBr:CsPbBr3中的摩尔浓度大于0.5at.％、小于45at.％确定KBr的加入量；在晶体生长步骤中，采用提拉法生长KBr:CsPbBr3晶体，工艺参数确定为：提拉速度0.8～1.5mm/h，旋转速度2～15rpm，生长温度721～728℃；在退火步骤中，停止提拉，在生长温度下保温25～35min，随后自然降温至650℃时保温5～6h，再自然降温至室温。

公开(公告)号：CN112281216A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202011129518.7

申请日：2020-10-21

Applicant: 长春理工大学

Inventor： 曾繁明 ,  盖亮宇 ,  李春 ,  林海 ,  苏忠民 ,  王新宇 ,  杨蔚岭

IPC: C30B29/28 ,  C30B15/00 ,  C30B28/04 ,  G02F1/09

Abstract: 本发明涉及一种新型磁光晶体TASGG的生长方法。本发明涉及包括采用液相共沉淀法制备多晶原料以及原料处理；磁光晶体生长工艺理论，包括抽真空、设置系统、升温熔料、下籽晶、引晶、放肩、拉伸、停炉等。本发明采用中频感应晶体提拉炉，使用铱金坩埚进行生长。本发明结合了TGG晶体、TAG晶体和TSAG晶体的优点，生长出一种新型磁光晶体TASGG，生长出的晶体完整性好，磁光性能优良，工艺稳定，具有广阔的应用前景。