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公开(公告)号：CN116676082B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202310614668.4
申请日：2023-05-29
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/66 , C09K11/02 , H10K50/115
Abstract: 本发明提供了一种极性配体重构量子点表面并实现高性能蓝光LEDs的方法，其特征是：它包括如下步骤：S1：合成制备量子点所需要的油酸铯前驱体溶液；S2：量子点的合成；S3：量子点的提纯；S4：LED器件的制备。该方法在不添加额外步骤的前提下，在提纯清洗过程中采用溴化铵盐对PeLED中的发光活性物质进行了原位的表面重构，通过修复纯化后受损的量子点表面降低了量子点表面的缺陷密度，实现了钙钛矿量子点光致发光产率的提升，也实现了蓝光钙钛矿量子点LEDs效率的改善。
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公开(公告)号：CN117586764A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311534331.9
申请日：2023-11-17
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种热稳定、疏水的表面富氟型蓝光钙钛矿量子点及其制备方法，属于发光显示技术领域。本发明通过在钙钛矿量子点中引入一种疏水性的富氟配体辅助其他结合力较强的配体进行协同修饰，对量子点进行包覆。第一种富氟配体可以构建量子点表面改善疏水特性，第二种配体可以提供稳定的表面，从而使得量子点具有较好的热稳定性。当两者同时包覆在钙钛矿量子点表面时，可以协同作用使得钙钛矿兼具两种配体带来的疏水性和稳定性优势，该量子点有70％以上的蓝光光致发光量子产率以及优良的稳定性。本发明旨在解决蓝光钙钛矿量子点水热稳定性差的问题，得到的蓝光钙钛矿量子点在蓝光电致发光LED器件和钙钛矿量子点太阳能电池中的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115498123A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211184239.X
申请日：2022-09-27
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了ODADBr原位钝化的钙钛矿量子点高效发光LED及其制备方法，采用ITO为阴极，PEDOT:PSS为空穴注入层，其厚度为40nm；Poly‑TPD为空穴传输层，其厚度为20nm；PMMA为界面修饰层，其厚度为5nm；原始与ODADBr原位钝化的CsPbBr3量子点为发光层，其厚度为15nm；TPBi为电子传输层，其厚度为50nm；LiF为电子注入层，其厚度为1nm；Al为阳极，其厚度为100nm，采用ODADBr钝化高温热注入合成的CsPbBr3量子点表面陷阱，减少量子点表面多余的Pb2+与VBr，从而提高材料的荧光寿命、发光强度以及荧光量子产率(PLQY)，进而提高材料的稳定性，将其应用于LED中，可以实现高亮度、高纯度、高外量子效率和提高器件的工作寿命。
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公开(公告)号：CN112786800A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110003313.2
申请日：2021-01-04
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于钙钛矿LED器件发光技术领域，公开了一种双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件及其制备方法，双界面修饰层钙钛矿纳米晶发光器件中阳极上依次旋涂空穴注入传输层、第一界面修饰层，空穴传输层、第二界面修饰层、发光层等；空穴传输层中嵌入的界面修饰层。本发明通过多方面整合界面修饰功能来提高器件效率，器件中的第一界面修饰层调控界面接触能级，第二界面修饰层钝化钙钛矿与空穴接触面的缺陷：通过界面修饰使其接触能级受到管理，实现载流子注入平衡的浓度梯度调控。钙钛矿材料作为新型离子型半导体，稳定性差，不平整的界面容易引起较多缺陷，改善空穴传输层与钙钛矿发光层界面接触，降低器件中漏电流。
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公开(公告)号：CN116676082A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202310614668.4
申请日：2023-05-29
Applicant: 吉林大学
IPC: C09K11/66 , C09K11/02 , H10K50/115
Abstract: 本发明提供了一种极性配体重构量子点表面并实现高性能蓝光LEDs的方法，其特征是：它包括如下步骤：S1：合成制备量子点所需要的油酸铯前驱体溶液；S2：量子点的合成；S3：量子点的提纯；S4：LED器件的制备。该方法在不添加额外步骤的前提下，在提纯清洗过程中采用溴化铵盐对PeLED中的发光活性物质进行了原位的表面重构，通过修复纯化后受损的量子点表面降低了量子点表面的缺陷密度，实现了钙钛矿量子点光致发光产率的提升，也实现了蓝光钙钛矿量子点LEDs效率的改善。
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公开(公告)号：CN116634852A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310399104.3
申请日：2023-04-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种全无机无铅钙钛矿忆阻器及其制备方法，一种全无机无铅钙钛矿忆阻器，该器件结构顺序为顶电极、功能层、底电极；顶电极为金属铝，功能层为CsCu2Br3钙钛矿，底电极为FTO导电玻璃。该制备方法：S1：按1：2摩尔比例称取CsBr和CuBr溶于二甲基亚砜制备前驱体并在60℃搅拌12小时；S2：清洗FTO衬底，使用氮气吹干，并进行臭氧‑紫外处理；S3：在手套箱中，使用移液枪吸取适量的前驱体，将适量前驱体旋涂在FTO衬底上。随后，将样品在100℃退火30分钟。该忆阻器可在低电压下实现负电压写入，正电压擦除的双极电阻开关行为。在低电压下实现了对电阻开关行为的操控，并实现了较长时间的数据保持时间。
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公开(公告)号：CN115753704A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211305301.6
申请日：2022-10-24
Applicant: 吉林大学
IPC: G01N21/64
Abstract: 本发明提出了无铅双钙钛矿气敏传感器的制备方法，它用一价金属离子(M+)和三价金属离子(M3+)取代了Pb2+针对这一设计已经成功合成了几种候选材料，包括Cs2AgBiCl6、Cs2AgBiBr6、Cs2SbAgCl6和Cs2SbAgBr6.28，特别是Cs2AgBiBr6由于其优异的光电性能和令人满意的环境稳定性，被认为是一种很有前途的半导体材料，双钙钛矿Cs2AgBiBr6薄膜第一次被用于氧传感领域，所制备的双钙钛矿传感器对氧的灵敏度高，受其他气体的影响小，该装置的响应时间和恢复时间分别为56s和91s。检测下限(LOD)仅为150ppm。该传感器在长期稳定性、湿度稳定性、光稳定性和热稳定性方面表现良好。在长期稳定性方面，在荧光型气体检测仪中达到了700小时以上的记录值。
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