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公开(公告)号：CN116634852A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310399104.3
申请日：2023-04-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种全无机无铅钙钛矿忆阻器及其制备方法，一种全无机无铅钙钛矿忆阻器，该器件结构顺序为顶电极、功能层、底电极；顶电极为金属铝，功能层为CsCu2Br3钙钛矿，底电极为FTO导电玻璃。该制备方法：S1：按1：2摩尔比例称取CsBr和CuBr溶于二甲基亚砜制备前驱体并在60℃搅拌12小时；S2：清洗FTO衬底，使用氮气吹干，并进行臭氧‑紫外处理；S3：在手套箱中，使用移液枪吸取适量的前驱体，将适量前驱体旋涂在FTO衬底上。随后，将样品在100℃退火30分钟。该忆阻器可在低电压下实现负电压写入，正电压擦除的双极电阻开关行为。在低电压下实现了对电阻开关行为的操控，并实现了较长时间的数据保持时间。
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