公开(公告)号：CN117269252A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202311212992.X

申请日：2023-09-20

Applicant: 吉林大学

Inventor： 王天双 ,  韩文讲 ,  孙鹏 ,  卢革宇

IPC: G01N27/12 ,  C01B39/04 ,  C01G55/00 ,  C01G15/00

Abstract: 本发明属于气体传感器技术领域，具体涉及氧化铟纳米膜、PdO@S‑1分子筛膜、分子筛/氧化铟双层膜、双层膜结构气体传感器。本发明提供的氧化铟纳米膜的膜厚可控、一致性较好且具备多孔结构和大比表面积，有利于气体扩散，能够实现快速吸附和脱附，为开发高性能NO2传感器提供了有效的敏感材料。本发明将纳米PdO负载于S‑1分子筛的孔道中，利用分子筛材料的孔道限域效应，提高了PdO的稳定性，避免高温工况下的纳米PdO团聚，改善了传感器的稳定性，还能提高NO2的吸附特性及气敏反应活性。本发明利用PdO@S‑1分子筛膜可显著提高氧化铟纳米膜的灵敏度、抗湿度干扰能力以及稳定性，在NO2的检测方面具有很好的应用前景。

公开(公告)号：CN113390930B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202110646152.9

申请日：2021-06-10

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  吉林大学

Inventor： 卢革宇 ,  韩文讲 ,  孙彦峰

IPC: G01N27/14

Abstract: 一种基于双脉冲驱动SnO2‑Pd敏感材料的CO气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。为双脉冲驱动加热方式的旁热式结构，由外表面带有两条金电极的陶瓷管衬底，涂覆在陶瓷管外表面和金电极上的纳米线状SnO2‑Pd敏感材料，置于陶瓷管内的镍铬加热线圈，双脉冲驱动直流电流源，电阻测量表和上位机组成。本发明利用高温预热敏感材料预先吸附O‑、O2‑，休息阶段加快气体分子渗入到敏感材料表面得到了CO气体的高响应与极低的检测下限。开发出的具有高性能的CO气体传感器，比传统的驱动方式响应提高约33倍，检测下限降低400倍达到5ppb。另外传感器还表现出了良好的稳定性，在环境监测低浓度CO气体方面具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN113390930A

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN202110646152.9

申请日：2021-06-10

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  吉林大学

Inventor： 卢革宇 ,  韩文讲 ,  孙彦峰

IPC: G01N27/14

Abstract: 一种基于双脉冲驱动SnO2‑Pd敏感材料的CO气体传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。为双脉冲驱动加热方式的旁热式结构，由外表面带有两条金电极的陶瓷管衬底，涂覆在陶瓷管外表面和金电极上的纳米线状SnO2‑Pd敏感材料，置于陶瓷管内的镍铬加热线圈，双脉冲驱动直流电流源，电阻测量表和上位机组成。本发明利用高温预热敏感材料预先吸附O‑、O2‑，休息阶段加快气体分子渗入到敏感材料表面得到了CO气体的高响应与极低的检测下限。开发出的具有高性能的CO气体传感器，比传统的驱动方式响应提高约33倍，检测下限降低400倍达到5ppb。另外传感器还表现出了良好的稳定性，在环境监测低浓度CO气体方面具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN119224070A

公开(公告)日：2024-12-31

申请号：CN202411333166.5

申请日：2024-09-24

Applicant: 吉林大学

Inventor： 王天双 ,  韩文讲 ,  卢革宇 ,  孙鹏

IPC: G01N27/12 ,  C01G19/02

Abstract: 本发明提供了一种钯掺杂二氧化锡敏感材料及其制备方法、双层膜结构气体传感器及其制备方法和应用，涉及气体传感器技术领域。本发明提供的钯掺杂二氧化锡敏感材料的制备方法，包括以下步骤：将SnO2凝胶、钯源和还原剂混合，进行还原处理，得到所述钯掺杂二氧化锡敏感材料。本发明采用溶胶凝胶法制备钯掺杂二氧化锡敏感材料，该材料具有多孔结构，比表面积大，有利气体扩散，能够实现气体快速吸附和脱附。并且本发明采用钯掺杂二氧化锡作为敏感层和Na型X分子筛作为覆盖层来构筑双层膜结构器件，制备的气体传感器具有优异的稳定性。

公开(公告)号：CN113533452A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110809597.4

申请日：2021-07-16

Applicant: 吉林大学

Inventor： 卢革宇 ,  韩文讲 ,  孙彦峰 ,  孙鹏 ,  刘方猛

IPC: G01N27/12

Abstract: 一种基于纳米线状In2O3‑Au‑Pd氧化物半导体敏感材料的CO传感器及其制备方法，属于气体传感器技术领域。为旁热式结构，其由外表面带有两条平行、环状且彼此分立的金电极的Al2O3陶瓷管衬底，涂覆在Al2O3陶瓷管衬底外表面和金电极上的纳米线状In2O3‑Au‑Pd敏感材料薄膜，置于Al2O3陶瓷管内的镍铬加热线圈组成；通过铂丝导线将陶瓷管的两条金电极和镍铬加热线圈焊接在旁热式六角管座上。本发明开发出的具有高性能的CO气体传感器，比纯的纳米线状In2O3材料响应提高约9.5倍，检测下限降低25倍达到0.2ppm。另外传感器还表现出了良好的稳定性，在环境监测低浓度CO气体方面具有良好的应用前景。