公开(公告)号：CN114086123B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN202111393300.7

申请日：2021-11-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 胡超权 ,  王达年 ,  雷殷 ,  于成龙 ,  郑伟涛

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明属于宽带吸收涂层技术领域，具体涉及一种超耐磨宽带吸收涂层及其制备方法，该吸收涂层包括作为内层的反射层、作为中间层的间隔介质层和作为外层的损耗层，所述反射层为W膜，所述间隔介质层为Al2O3膜；所述损耗层是具有W置换Ti的、岩盐结构的Ti1‑xWxC固溶体薄膜；制备方法包括步骤：1)以高纯钨作为靶源，半导体材料作为衬底，在衬底上沉积W膜；2)以高纯氧化铝作为靶源，在衬底上继续沉积Al2O3膜；3)采用双靶共溅射法，以高纯碳化钛和高纯钨为靶源，在衬底上继续沉积Ti1‑xWxC固溶体薄膜。本发明设计出了一种同时具备宽带吸收性质和高耐磨性的超耐磨宽带吸收涂层，从根本上解决了传统吸收涂层磨损性能不理想的瓶颈问题。

公开(公告)号：CN114086123A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202111393300.7

申请日：2021-11-23

Applicant: 吉林大学

Inventor： 胡超权 ,  王达年 ,  雷殷 ,  于成龙 ,  郑伟涛

IPC: C23C14/18 ,  C23C14/08 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54

Abstract: 本发明属于宽带吸收涂层技术领域，具体涉及一种超耐磨宽带吸收涂层及其制备方法，该吸收涂层包括作为内层的反射层、作为中间层的间隔介质层和作为外层的损耗层，所述反射层为W膜，所述间隔介质层为Al2O3膜；所述损耗层是具有W置换Ti的、岩盐结构的Ti1‑xWxC固溶体薄膜；制备方法包括步骤：1)以高纯钨作为靶源，半导体材料作为衬底，在衬底上沉积W膜；2)以高纯氧化铝作为靶源，在衬底上继续沉积Al2O3膜；3)采用双靶共溅射法，以高纯碳化钛和高纯钨为靶源，在衬底上继续沉积Ti1‑xWxC固溶体薄膜。本发明设计出了一种同时具备宽带吸收性质和高耐磨性的超耐磨宽带吸收涂层，从根本上解决了传统吸收涂层磨损性能不理想的瓶颈问题。