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公开(公告)号：CN114678258A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210276892.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种p型氧化镓纳米结构薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。结构薄膜依次由GaSb单晶衬底、p型Ga2O3纳米结构薄膜两部分组成。首先对GaSb单晶衬底加热，使其表面形成镓液滴；然后通入氧气对镓液滴进行持续热氧化，使得衬底中的Sb形成的Sb替位SbO与Ga2O3中的本征缺陷Ga空位VGa结合，形成SbO‑VGa复合体结构作为有效的受主掺杂源，形成稳定的p型Ga2O3薄膜。此外，热氧化时形成的纳米结构可以有效缓解与衬底间较大的晶格失配与热失配，提高薄膜晶体质量。本发明工艺简单、成本低，解决了Ga2O3材料的p型掺杂的问题，且薄膜质量较高，该方法为Ga2O3基器件的发展提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN113097055B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202110359099.4
申请日：2021-04-02
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由砷化镓(GaAs)单晶衬底、p型Ga2O3纳米柱状结构薄膜两部分组成。首先对GaAs单晶衬底加热，使其表面形成镓液滴；然后通入氧气对镓液滴进行持续热氧化，使得衬底中的As形成的As替位AsO与Ga2O3中的本征缺陷Ga空位VGa结合，形成AsO‑VGa复合体结构作为有效的受主掺杂源，形成稳定的p型Ga2O3薄膜。此外，热氧化时形成的纳米柱状结构还可以有效缓解与衬底间较大的晶格失配与热失配，提高薄膜晶体质量。本发明工艺简单、成本低，解决了Ga2O3材料的p型掺杂的问题，且薄膜质量高，该方法为Ga2O3基器件的发展提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN114255276A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111534353.6
申请日：2021-12-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明适用于同步建图与定位、多传感器融合技术领域，提供了一种融合ArUco码与激光点云的地库定位方法，包括以下步骤：步骤1：创建ArUco码分布图；步骤2：创建激光点云图，根据ArUco码分布地图，利用车载激光雷达进行增量式建图，生成ArUco码与激光点云混合地图；步骤3：初始化位姿，根据ArUco码与激光点云混合地图，以及相机第一帧图像检测到的ArUco码，利用PnP算法求解初始位姿；步骤4：根据场景切换定位方式，在ArUco码与激光点云混合地图的基础上，根据场景中是否检测到ArUco码切换定位方式。本方法使自动驾驶汽车在地库中的定位更加稳定可靠，具有良好的使用效果。
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公开(公告)号：CN115810694B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202211630179.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0368 , H01L31/107
Abstract: 一种低噪声、高响应Ga2O3基雪崩光电二极管(APD)及其制备方法，属于属于半导体光电探测器技术领域。依次由p‑Si衬底、低厚度n‑Ga2O3薄膜、高厚度UID‑Ga2O3薄膜、n+‑Ga2O3欧姆接触层、欧姆接触电极组成，薄膜外延全部由MOCVD工艺而成。本发明能够实现低噪声、高响应的Ga2O3基SAM‑APD制备，可以在mm2数量级的器件面积下，实现～104A/W的响应度。本发明克服了目前水平结构Ga2O3紫外探测器电流密度较低、响应低、工艺复杂的问题，能够有效提高Ga2O3紫外探测器的响应度，进而促进其实际应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115810694A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211630179.X
申请日：2022-12-19
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/0352 , H01L31/0368 , H01L31/107
Abstract: 一种低噪声、高响应Ga2O3基雪崩光电二极管(APD)及其制备方法，属于属于半导体光电探测器技术领域。依次由p‑Si衬底、低厚度n‑Ga2O3薄膜、高厚度UID‑Ga2O3薄膜、n+‑Ga2O3欧姆接触层、欧姆接触电极组成，薄膜外延全部由MOCVD工艺而成。本发明能够实现低噪声、高响应的Ga2O3基SAM‑APD制备，可以在mm2数量级的器件面积下，实现～104A/W的响应度。本发明克服了目前水平结构Ga2O3紫外探测器电流密度较低、响应低、工艺复杂的问题，能够有效提高Ga2O3紫外探测器的响应度，进而促进其实际应用。
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公开(公告)号：CN113097055A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110359099.4
申请日：2021-04-02
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种高质量p型氧化镓纳米柱状结构薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由砷化镓(GaAs)单晶衬底、p型Ga2O3纳米柱状结构薄膜两部分组成。首先对GaAs单晶衬底加热，使其表面形成镓液滴；然后通入氧气对镓液滴进行持续热氧化，使得衬底中的As形成的As替位AsO与Ga2O3中的本征缺陷Ga空位VGa结合，形成AsO‑VGa复合体结构作为有效的受主掺杂源，形成稳定的p型Ga2O3薄膜。此外，热氧化时形成的纳米柱状结构还可以有效缓解与衬底间较大的晶格失配与热失配，提高薄膜晶体质量。本发明工艺简单、成本低，解决了Ga2O3材料的p型掺杂的问题，且薄膜质量高，该方法为Ga2O3基器件的发展提供了有力支撑。
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公开(公告)号：CN114899106B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202210522074.6
申请日：2022-05-13
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/365 , H10D62/80 , H10D8/01
Abstract: 一种高厚度、高质量Ga2O3薄膜材料及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由经过NH3等离子体钝化处理的β‑Ga2O3单晶衬底、低温Ga2O3缓冲层、缓慢生长的Ga2O3薄层、Ga2O3生长层、快速生长的高温Ga2O3薄膜层组成，所有生长过程均在MOCVD设备内完成。本发明解决了高厚度、高质量Ga2O3薄膜材料的外延问题，克服了目前Ga2O3异质与同质外延晶体质量差的问题，获得的Ga2O3薄膜晶体质量相较于衬底提高了三分之一以上，其双晶摇摆曲线半峰宽仅有68.4arcsec。本发明能够有效提高Ga2O3厚膜的晶体质量，进而提高Ga2O3基器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN114241020A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111533994.X
申请日：2021-12-15
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种新型基于点云配准的自主泊车定位与导航方法，包括以下步骤：步骤S1创建激光点云地图：利用车载激光雷达对地下车库进行建图，生成激光点云地图；步骤S2实时定位：根据步骤1创建激光点云地图，利用无迹卡尔曼滤波融合NDT点云配准信息与惯性测量单元信息，计算得到车辆当前位姿；步骤S3规划路径：根据步骤2计算的车辆当前位姿，利用预定义的泊车规划方法生成泊车路径；步骤S4跟踪轨迹：利用自适应MPC横向控制器控制车辆跟随期望路径。本发明通过事先创建地下车库激光点云地图，实时获取自动驾驶汽车在坐标系下的位姿，利用预定义的泊车规划方法生成泊车路径，最后利用横向、纵向控制器控制车辆跟踪规划好的路径。
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公开(公告)号：CN114899106A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210522074.6
申请日：2022-05-13
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/365 , H01L29/24 , H01L29/861
Abstract: 一种高厚度、高质量Ga2O3薄膜材料及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。依次由经过NH3等离子体钝化处理的β‑Ga2O3单晶衬底、低温Ga2O3缓冲层、缓慢生长的Ga2O3薄层、Ga2O3生长层、快速生长的高温Ga2O3薄膜层组成，所有生长过程均在MOCVD设备内完成。本发明解决了高厚度、高质量Ga2O3薄膜材料的外延问题，克服了目前Ga2O3异质与同质外延晶体质量差的问题，获得的Ga2O3薄膜晶体质量相较于衬底提高了三分之一以上，其双晶摇摆曲线半峰宽仅有68.4arcsec。本发明能够有效提高Ga2O3厚膜的晶体质量，进而提高Ga2O3基器件的工作性能。
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