-
公开(公告)号：CN114678258A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210276892.2
申请日：2022-03-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种p型氧化镓纳米结构薄膜及其制备方法，属于半导体薄膜材料制备技术领域。结构薄膜依次由GaSb单晶衬底、p型Ga2O3纳米结构薄膜两部分组成。首先对GaSb单晶衬底加热，使其表面形成镓液滴；然后通入氧气对镓液滴进行持续热氧化，使得衬底中的Sb形成的Sb替位SbO与Ga2O3中的本征缺陷Ga空位VGa结合，形成SbO‑VGa复合体结构作为有效的受主掺杂源，形成稳定的p型Ga2O3薄膜。此外，热氧化时形成的纳米结构可以有效缓解与衬底间较大的晶格失配与热失配，提高薄膜晶体质量。本发明工艺简单、成本低，解决了Ga2O3材料的p型掺杂的问题，且薄膜质量较高，该方法为Ga2O3基器件的发展提供了有力支撑。
Search Results
1
records
(took 0.016 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
