公开(公告)号：CN105420677A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510880868.X

申请日：2015-12-03

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李永峰 ,  贾金环 ,  姚斌 ,  丁战辉

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

CPC classification number: C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  C23C14/5866

Abstract: 本发明涉及可实现近带边紫外发光的p型二氧化锡薄膜的制备方法。其特征是以金属锡(Sn)、金属锑(Sb)、氮气(N2)、氧气(O2)、硫粉(S)为原料，利用磁控溅射技术与硫气氛热处理技术,制备出具有高空穴浓度和近带边紫外发光的p型SnO2薄膜，其空穴载流子的浓度范围为1018cm-3到1019cm-3，室温紫外发光波长范围为380nm到390nm。本方法采用施主受主元素共掺杂技术和硫气氛热处理技术，提高受主在SnO2中的固溶度，并打破电子在SnO2导带底和价带顶跃迁的禁戒规则，实现近带边紫外发光，可用于制备宽带隙氧化物光电器件中的p型导电层。

公开(公告)号：CN105420677B

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201510880868.X

申请日：2015-12-03

Applicant: 吉林大学

Inventor： 李永峰 ,  贾金环 ,  姚斌 ,  丁战辉

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及可实现近带边紫外发光的p型二氧化锡薄膜的制备方法。其特征是以金属锡(Sn)、金属锑(Sb)、氮气(N2)、氧气(O2)、硫粉(S)为原料，利用磁控溅射技术与硫气氛热处理技术,制备出具有高空穴浓度和近带边紫外发光的p型SnO2薄膜，其空穴载流子的浓度范围为1018cm‑3到1019cm‑3，室温紫外发光波长范围为380nm到390nm。本方法采用施主受主元素共掺杂技术和硫气氛热处理技术，提高受主在SnO2中的固溶度，并打破电子在SnO2导带底和价带顶跃迁的禁戒规则，实现近带边紫外发光，可用于制备宽带隙氧化物光电器件中的p型导电层。