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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103094479B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310055950.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明属于有机电子器件领域，具体涉及一种在有机电子器件薄膜封装过程中保护接触电极的方法，通过该方法可以有效避免器件电极被封装薄膜覆盖从而导致器件电极接触失效的现象。该保护膜为硅片保护膜等，采用双层构架形式，基底层使用双轴拉伸聚氯乙烯，胶黏层由经过处理的丙烯酸酯乳胶构成。在有机电子器件封装后保护膜可以被轻易撕除而无胶黏剂残留。可以有效的保证接触电极的导电性不发生任何改变。其具有粘性低且与金属、玻璃、硅、PET、PES等基材密和性优异的特点，因此前驱体材料无法从空隙中渗透，作为电极的保护层是有效的。保护膜起到阻隔ALD封装材料的作用，且能使器件经受住ALD封装温度。
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公开(公告)号：CN103107286A
公开(公告)日：2013-05-15
申请号：CN201310057235.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于有机电子器件领域，具体涉及一种采用非光刻工艺在有机电子器件的氧化锡铟电极上实现图形化的方法。首先将盐酸和去离子水混合，配制成溶液中H+浓度为6.0～7.0mol/L的刻蚀溶液；将带有胶黏层的保护膜切割成长方形，然后粘贴在具有ITO电极的衬底的中间区域；将衬底置于刻蚀溶液中1.5min～2min，将未被保护膜保护的ITO电极腐蚀掉，得到图形化的ITO电极；腐蚀结束后揭下保护膜，进而在图形化的ITO电极上制备有机电子器件。采用本发明方法得到的图形化的ITO电极，边缘整齐，无锯齿状，操作简单，无需特殊工艺和特殊设备，适用于制造半导体器件常用的金属氧化物电极，易于推广使用。
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公开(公告)号：CN103094479A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201310055950.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明属于有机电子器件领域，具体涉及一种在有机电子器件薄膜封装过程中保护接触电极的方法，通过该方法可以有效避免器件电极被封装薄膜覆盖从而导致器件电极接触失效的现象。该保护膜为硅片保护膜等，采用双层构架形式，基底层使用双轴拉伸聚氯乙烯，胶黏层由经过处理的丙烯酸酯乳胶构成。在有机电子器件封装后保护膜可以被轻易撕除而无胶黏剂残留。可以有效的保证接触电极的导电性不发生任何改变。其具有粘性低且与金属、玻璃、硅、PET、PES等基材密和性优异的特点，因此前驱体材料无法从空隙中渗透，作为电极的保护层是有效的。保护膜起到阻隔ALD封装材料的作用，且能使器件经受住ALD封装温度。
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公开(公告)号：CN102864417A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210300956.4
申请日：2012-08-22
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于有机电子器件技术领域，具体涉及一种利用电子束蒸发结合原子层沉积技术制备钝化层从而实现有机电子器件封装的方法。首先，采用电子束蒸发的方法快速沉积无机钝化层形成第一层封装薄膜，目的是防止原子层沉积过程中反应物对有机器件的侵蚀；其次，由于电子束蒸发所能形成的封装薄膜在有机器的长期存放过程中气体阻隔性能有限，因此电子束蒸发之后采用原子层技术慢速沉积致密无孔的第二层封装薄膜来进一步阻隔水氧。该封装方法避免了辐射与高温等可以导致有机器件退化的因素，而且制备工程完全是“干式”的，没有溶剂或水对器件造成的污染及损伤，对封装后的有机器件性能影响小，同时封装后的有机器件具有透光性和柔性特点。
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公开(公告)号：CN103107286B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201310057235.X
申请日：2013-02-21
Applicant: 吉林大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明属于有机电子器件领域，具体涉及一种采用非光刻工艺在有机电子器件的氧化锡铟电极上实现图形化的方法。首先将盐酸和去离子水混合，配制成溶液中H+浓度为6.0～7.0mol/L的刻蚀溶液；将带有胶黏层的保护膜切割成长方形，然后粘贴在具有ITO电极的衬底的中间区域；将衬底置于刻蚀溶液中1.5min～2min，将未被保护膜保护的ITO电极腐蚀掉，得到图形化的ITO电极；腐蚀结束后揭下保护膜，进而在图形化的ITO电极上制备有机电子器件。采用本发明方法得到的图形化的ITO电极，边缘整齐，无锯齿状，操作简单，无需特殊工艺和特殊设备，适用于制造半导体器件常用的金属氧化物电极，易于推广使用。
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