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公开(公告)号：CN117348150A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311431909.8
申请日：2023-10-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种能够抑制相邻通道间光学串扰的可调光衰减器阵列，属于集成光波导器件技术领域。由硅片衬底、聚合物下包层、聚合物光波导芯层阵列和聚合物上包层组成，聚合物光波导芯层阵列为四通道结构，该结构沿信号光输入方向依次由输入直波导、第一锥形波导、Y分支功率耦合器、相互平行的第一调制臂波导和第二调制臂波导、Y分支功率耦合器、第四锥形波导以及输出直波导组成，Y分支功率耦合器的弯曲波导、第四锥形波导以及输出直波导之间由氧化石墨烯层分隔开。本发明利用氧化石墨烯层其较强的光吸收性能将可调光衰减器阵列中相邻通道间在输出端Y分支耦合器处散发出的光吸收掉，进而实现抑制阵列中相邻通道之间的光学串扰，从而提升光传输效率。
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公开(公告)号：CN116430519A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310478179.0
申请日：2023-04-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于有机聚合物波导的模式不敏感光开关，属于模式不敏感光开关技术领域。由衬底、聚合物波导下包层、矩形结构的聚合物光波导芯层、聚合物波导上包层、第一石墨烯电容器和第二石墨烯电容器组成；聚合物波导下包层制备在衬底之上，聚合物波导上包层制备在聚合物波导下包层之上，矩形结构的聚合物光波导芯层被包覆在聚合物波导下包层和聚合物波导上包层之中。本发明的光开关采用聚合物材料进行波导结构的设计，以石墨烯作为调制电极并将其掩埋在波导内部，通过设计石墨烯电容器电极结构和优化掩埋位置，能够实现对TE11、TE21、TE12和TE22模式进行同时调制和开关，制备工艺上可与传统的CMOS工艺相兼容、易于集成。
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公开(公告)号：CN116974009A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310969194.5
申请日：2023-08-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种用于模分复用系统的聚合物双模多路复用开关，属于聚合物集成光学技术领域。由硅衬底、聚合物光波导下包层、条形聚合物光波导芯层、聚合物光波导上包层和调制电极组成；条形聚合物光波导芯层为基于AY、MZI和MMI的平面光波导结构，由输入非对称Y分支波导AY‑1、第一马赫‑曾德尔干涉仪MZI‑1、第二马赫‑曾德尔干涉仪MZI‑2、多模干涉耦合器MMI、第一弯曲波导、第二弯曲波导、第一输出非对称Y分支波导AY‑2、第二输出非对称Y分支波导AY‑3组成。本发明实现了E11、E21两种模式信号光灵活的复用和开关功能，有效的扩展了聚合物基集成光电子器件在模分复用系统当中的应用，具有重要的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN117348151A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311431912.X
申请日：2023-10-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于氮化硅/聚合物复合波导芯层的AWG与VOA阵列集成芯片，属于氮化硅/聚合物复合平面波导集成器件技术领域。从下至上依次由硅片衬底、二氧化硅下包层、波导芯层、聚合物上包层组成，波导芯层完全被包覆在聚合物上包层之中；波导芯层由AWG氮化硅输出直波导芯层和VOA单元器件的氮化硅/聚合物复合波导芯层组成，VOA单元器件的氮化硅/聚合物复合波导芯层为氮化硅芯层被包覆在聚合物芯层之中的复合MZI结构；当波分(解)复用器各输出通道间功率不平衡时，可以通过调谐复合波导VOA阵列中各可变光衰减器，实现输出通道功率均衡的功能。本发明的阵列集成芯片具有工作带宽大、损耗低、结构紧凑、低功耗、响应速度快等优点。
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公开(公告)号：CN108560444A
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：CN201810534962.3
申请日：2018-05-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种用于小型公共收费停车位的智能车位锁装置，包括有检测系统、执行系统、计时收费系统和中央处理器，其中检测系统、执行系统和计时收费系统均与中央处理器相连接，检测系统将采集的信号传输给中央处理器，中央处理器根据检测系统输入的信号控制执行系统和计时收费系统的工作。有益效果：本装置通过设置一种新型车位锁实现了公共收费停车位的自动化管理，该装置的设置一方面减少了人力监管，另一方面有益于城市交通管理；通过新型车位锁，减少了市场现有车位锁带来的包括影响路面行人行走安全，电池续航能力有限，易损坏等缺点；通过新型车位锁，实现了城市公共收费停车位的规范化管理，在一定程度上缓解了城市停车难的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117471609A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311431910.0
申请日：2023-10-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种降低相邻通道间串扰的AWG与VOA阵列混合集成芯片，属于集成光波导器件技术领域。聚合物基VOA阵列由8个聚合物基VOA单元器件等间距排布构成，氮化硅基AWG和聚合物基VOA单元器件由硅片衬底、二氧化硅下包层、光波导芯层和聚合物上包层组成，光波导芯层分为AWG氮化硅光波导芯层和VOA单元器件光波导芯层两部分；在聚合物基VOA单元器件之间引入氧化石墨烯层来抑制相邻通道间的光学和热学串扰，从而更好地实现光功率均衡作用。本发明采用聚合物材料使得器件的制备工艺比较简单，只需要旋涂、光刻等常规工艺，不需要难度较高的工艺，而且生产成本低、效率高、易于大规模批量生产，能够应用到实际当中的可调光衰减器阵列。
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公开(公告)号：CN117348152A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311431913.4
申请日：2023-10-31
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种氮化硅/聚合物基无热化AWG与聚合物基VOA阵列混合集成芯片，属于氮化硅/聚合物平面光波导混合集成器件及其制备技术领域。由在同一衬底上制备的氮化硅/聚合物基无热化AWG、中间连接器波导和聚合物基VOA阵列三部分组成，聚合物基VOA阵列由聚合物基VOA单元按照等间距排布构成，AWG的输出通道波导、中间连接器波导与聚合物基VOA单元的数量相同，输出通道波导通过中间连接器波导与聚合物基VOA单元一一连接；输出通道波导的芯层为氮化硅，中间连接器波导的芯导为氮化硅与聚合物的双芯层结构；当波分(解)复用器输出通道间功率不平衡时，通过调谐各个聚合物基VOA单元，可以达到实现输出通道功率均衡的功能。
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公开(公告)号：CN116859511A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310851298.6
申请日：2023-07-12
Applicant: 吉林大学
IPC: G02B6/124
Abstract: 一种基于二维光栅结构的少模层间耦合器及其制备方法，属于平面光波导器件及其制备技术领域。本发明由硅片衬底、在硅片衬底上制备的二氧化硅下包层、在二氧化硅下包层上制备的聚合物层间耦合层、在聚合物层间耦合层和二氧化硅下包层上制备的聚合物上包层组成，聚合物层间耦合层被包覆在聚合物上包层之中；上层氮化硅直波导芯由上层氮化硅直波导和上层二维光栅波导组成，下层氮化硅直波导芯层由下层二维光栅波导和下层氮化硅直波导组成。本发明充分发挥了氮化硅波导传输损耗低、透明窗口宽、热稳定性高的优势，以及聚合物材料种类多、制备工艺简单等优势，并且这两种材料还具备工艺成熟、相互兼容的特点，适合大规模制备生产，具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN116360175A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310357835.1
申请日：2023-04-06
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种能够有效提高氮化硅波导热调谐效率的热光开关及其制备方法，属于平面光波导器件及其制备技术领域。从下到上依次由硅片衬底、二氧化硅下包层、氮化硅波导下芯层、条形结构的聚合物波导上芯层和聚合物上包层组成；沿光的传播方向，条形结构的聚合物波导上芯层由输入直波导、3‑dB Y分支分束器、两条平行的第一调制臂和第二调制臂、3‑dB Y分支耦合器和输出直波导组成；在聚合物上包层之上，在第一调制臂和第二调制臂的正上方分别制备有第一加热电极和第二加热电极。本发明中氮化硅下芯层中的光部分进入到聚合物加载条形波导之中，利用聚合物材料热光系数高的特点，可以有效降低器件开关状态下的功耗。
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公开(公告)号：CN208685491U
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201820816439.5
申请日：2018-05-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本实用新型公开了一种用于小型公共收费停车位的智能车位锁装置，包括有检测系统、执行系统、计时收费系统和中央处理器，其中检测系统、执行系统和计时收费系统均与中央处理器相连接，检测系统将采集的信号传输给中央处理器，中央处理器根据检测系统输入的信号控制执行系统和计时收费系统的工作。有益效果：该装置的设置一方面减少了人力监管，另一方面有益于城市交通管理；通过新型车位锁，减少了市场现有车位锁带来的包括影响路面行人行走安全，电池续航能力有限，易损坏等缺点；通过新型车位锁，实现了城市公共收费停车位的规范化管理，在一定程度上缓解了城市停车难的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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