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公开(公告)号：CN113238324B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110478692.0
申请日：2021-04-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于片上硅基光电子学的双MZ结构的低串扰光开关及光开关阵列，属于集成光电子器件技术领域。由第一输入波导、第二输入波导、第一级2×2马赫泽德干涉仪、第二级2×2马赫泽德干涉仪、第一输出波导、第二输出波导和波导交叉单元组成；上述结构位于同一层，或第二输入波导、第一级2×2马赫泽德干涉仪、第一输出波导位于同一层，第一输入波导、第二级2×2马赫泽德干涉仪、第二输出波导位于另一层；进而由其可以构建N×N单层双MZ结构的低串扰光开关阵列和M×N×N多层光开关阵列。本发明可以构成多层结构光开关阵列，节约了面积，提高了器件的集成度；本发明基于标准的硅基平面集成光波导制作工艺，生产成本低，性能优越。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113866875B
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202111169538.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种带有损耗补偿功能的光栅层间耦合器及其制备方法，属于层间耦合器技术领域。由硅衬底、第一SiO2埋氧层、第一金属反射镜、第二SiO2埋氧层、硅层、SiO2隔离层、第一聚合物包层、铒镱共掺聚合物层、第二聚合物包层和第二金属反射镜构成；硅层由第一硅波导、硅光栅、第二硅波导组成；铒镱共掺聚合物层由铒镱共掺聚合物波导、铒镱共掺聚合物光栅和铒镱共掺聚合物光波导放大器组成；硅光栅及铒镱共掺聚合物光栅的单个光栅单元类似“台阶”结构。该器件分别将硅基光栅耦合器和聚合物光栅耦合器分别置于两层，实现了硅基、聚合物光子回路的三维混合集成，实现了结构紧凑、高效的光栅层间耦合，在三维光子集成领域具有很强的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113866875A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111169538.1
申请日：2021-10-08
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种带有损耗补偿功能的光栅层间耦合器及其制备方法，属于层间耦合器技术领域。由硅衬底、第一SiO2埋氧层、第一金属反射镜、第二SiO2埋氧层、硅层、SiO2隔离层、第一聚合物包层、铒镱共掺聚合物层、第二聚合物包层和第二金属反射镜构成；硅层由第一硅波导、硅光栅、第二硅波导组成；铒镱共掺聚合物层由铒镱共掺聚合物波导、铒镱共掺聚合物光栅和铒镱共掺聚合物光波导放大器组成；硅光栅及铒镱共掺聚合物光栅的单个光栅单元类似“台阶”结构。该器件分别将硅基光栅耦合器和聚合物光栅耦合器分别置于两层，实现了硅基、聚合物光子回路的三维混合集成，实现了结构紧凑、高效的光栅层间耦合，在三维光子集成领域具有很强的应用潜力。
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公开(公告)号：CN113625392A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110906473.8
申请日：2021-08-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于有机无机混合集成的4×4光开关阵列，属于光通信。沿光的传播方向，由第I、第II、第III、第IV和第V组2×2光开关单元组成；每个2×2光开关单元由前、后两个耦合区和中间连接的两根长度为L的直波导构成，其中一根直波导作为调制臂，通过改变调制臂的温度使两根直波导间产生温度差，从而使波导内部传输光的相位发生改变。从下至上，是由Si衬底、带有矩形凹槽型结构的SiO2下包层、填充在矩形凹槽内的SU‑8 2002波导芯层、PMMA上包层组成。该4×4开关阵列可以通过对于不同调制臂的调制实现每个输入端口到每个输出端口的通光，且工作在各状态下的损耗均为0.07dB以下。
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公开(公告)号：CN113625392B
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202110906473.8
申请日：2021-08-09
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于有机无机混合集成的4×4光开关阵列，属于光通信。沿光的传播方向，由第I、第II、第III、第IV和第V组2×2光开关单元组成；每个2×2光开关单元由前、后两个耦合区和中间连接的两根长度为L的直波导构成，其中一根直波导作为调制臂，通过改变调制臂的温度使两根直波导间产生温度差，从而使波导内部传输光的相位发生改变。从下至上，是由Si衬底、带有矩形凹槽型结构的SiO2下包层、填充在矩形凹槽内的SU‑8 2002波导芯层、PMMA上包层组成。该4×4开关阵列可以通过对于不同调制臂的调制实现每个输入端口到每个输出端口的通光，且工作在各状态下的损耗均为0.07dB以下。
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公开(公告)号：CN113238324A
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN202110478692.0
申请日：2021-04-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于片上硅基光电子学的双MZ结构的低串扰光开关及光开关阵列，属于集成光电子器件技术领域。由第一输入波导、第二输入波导、第一级2×2马赫泽德干涉仪、第二级2×2马赫泽德干涉仪、第一输出波导、第二输出波导和波导交叉单元组成；上述结构位于同一层，或第二输入波导、第一级2×2马赫泽德干涉仪、第一输出波导位于同一层，第一输入波导、第二级2×2马赫泽德干涉仪、第二输出波导位于另一层；进而由其可以构建N×N单层双MZ结构的低串扰光开关阵列和M×N×N多层光开关阵列。本发明可以构成多层结构光开关阵列，节约了面积，提高了器件的集成度；本发明基于标准的硅基平面集成光波导制作工艺，生产成本低，性能优越。
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