公开(公告)号：CN118367761A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410270265.7

申请日：2024-03-11

Applicant: 吉林大学

Inventor： 宋俊峰 ,  叶锦文 ,  王富昕 ,  马艳 ,  高凯迪 ,  谷艳雪 ,  姜澳

IPC: H02M1/08 ,  H02M3/157 ,  H02M3/158

Abstract: 本发明公开了一种用于提高ACOT架构瞬态响应和精度的BUCK型电路及其控制方法，属于电子电路技术领域，所述BUCK电路包括BUCK开关模块、驱动模块、保护电路模块、恒定导通时间模块、直流校准模块、比较器模块、基准电压模块及软启动模块；本发明在负载从轻载向重载跳变时，增大其导通时间来减小瞬态恢复时间和减小下冲，从而提高瞬态响应；在精度上，针对ACOT控制作为大信号纹波控制所带来的半纹波输出误差，该方法引入直流电压精度校正电路，通过采样反馈电压VFB与基准电压VREF的直流电压误差，并将此误差电压叠加到VREF上，动态地调整比较器的参考电压值，代替了原本ACOT控制中固定的参考电压，消除了ACOT控制的半纹波误差，显著提高输出精度。

公开(公告)号：CN101447524B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810051680.4

申请日：2008-12-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 常玉春 ,  刘欣 ,  王玉琦 ,  杜国同 ,  郭树旭 ,  王富昕 ,  史中翩

IPC: H01L31/11

Abstract: 本发明涉及一种穿通效应增强型硅光电晶体管。包括NPN和PNP两种类型，其由下至上包括硅衬底层，位于硅衬底层上的P阱(或N阱)层，位于P阱(或N阱)层内的两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区，位于P阱(或N阱)层内、被两个N型(或P型)重掺杂有源区环绕的场区二氧化硅层，位于P阱(或N阱)层窄侧和场区二氧化硅层上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层，覆盖在栅氧二氧化硅层上、与栅氧二氧化硅层形状相同的两个分立的多晶硅层，位于P阱(或N阱)层宽侧上表面且与两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区的分别连接的条形金属电极层。该器件可以有效提高器件光电转换增益，限制器件的暗电流，降低器件噪声，得到高的信噪比。

公开(公告)号：CN101447524A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810051680.4

申请日：2008-12-25

Applicant: 吉林大学

Inventor： 常玉春 ,  刘欣 ,  王玉琦 ,  杜国同 ,  郭树旭 ,  王富昕 ,  史中翩

IPC: H01L31/11

Abstract: 本发明涉及一种穿通效应增强型硅光电晶体管。包括NPN和PNP两种类型，其由下至上包括硅衬底层，位于硅衬底层上的P阱(或N阱)层，位于P阱(或N阱)层内的两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区，位于P阱(或N阱)层内、被两个N型(或P型)重掺杂有源区环绕的场区二氧化硅层，位于P阱(或N阱)层窄侧和场区二氧化硅层上表面的两个分立的条形栅氧二氧化硅层，覆盖在栅氧二氧化硅层上、与栅氧二氧化硅层形状相同的两个分立的多晶硅层，位于P阱(或N阱)层宽侧上表面且与两个分立的N型(或P型)重掺杂有源区的分别连接的条形金属电极层。该器件可以有效提高器件光电转换增益，限制器件的暗电流，降低器件噪声，得到高的信噪比。