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公开(公告)号：CN113363278A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110617238.9
申请日：2021-06-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种基于透明薄膜晶体管的光电探测器阵列及其制备方法，属于光电探测器技术领域。所述光电探测器阵列由透明薄膜晶体管阵列以及与其漏端电极相连的光电探测器组成。本发明通过首先制备透明薄膜晶体管阵列，将其作为底板，在其上分别通过溶液法旋涂ZnO电子传输层以及PTB7‑TH:FOIC有源层，将样品盖上阵列掩模版后分别蒸镀MoO3空穴传输层和Ag金属电极，由此制得光电探测器阵列。本发明制备的光电探测器阵列具有超低的暗电流，相比于在ITO玻璃上制备的单节光电探测器暗电流密度下降两个数量级，同时透明薄膜晶体管相比于传统薄膜晶体管，可以有效提升透光率，实现的探测器阵列具有低暗电流、高响应度、高探测率以及弱光敏感的特点。
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公开(公告)号：CN111740018B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202010645536.4
申请日：2020-07-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种宽带、低噪声、超快响应的级联结构有机光电探测器及其制备方法，属于有机光电器件技术领域。由ITO导电玻璃阴极、ZnO阴极缓冲层、PTB7‑Th:ITIC底部有源层、MoO3/Ag/PEIE内部复合区、PTB7‑Th:FOIC顶部有源层、MoO3阳极缓冲层和Ag阳极组成。全色光照射条件下，内部复合区形成一个复合中心，保证级联结构光电探测的正常工作；单色光照射时，器件内仅有底部或顶部子单元表现出p‑i‑n结的特性，另一个子单元则等效于导体进行载流子传输，减少器件内界面捕获效应，使器件响应速度提高；暗态条件下MoO3和PEIE分别阻挡来自顶层的电子和来自底层的空穴，有效提高电子和空穴的注入势垒/势阱，使暗电流降低。
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公开(公告)号：CN111740018A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010645536.4
申请日：2020-07-07
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种宽带、低噪声、超快响应的级联结构有机光电探测器及其制备方法，属于有机光电器件技术领域。由ITO导电玻璃阴极、ZnO阴极缓冲层、PTB7-Th:ITIC底部有源层、MoO3/Ag/PEIE内部复合区、PTB7-Th:FOIC顶部有源层、MoO3阳极缓冲层和Ag阳极组成。全色光照射条件下，内部复合区形成一个复合中心，保证级联结构光电探测的正常工作；单色光照射时，器件内仅有底部或顶部子单元表现出p-i-n结的特性，另一个子单元则等效于导体进行载流子传输，减少器件内界面捕获效应，使器件响应速度提高；暗态条件下MoO3和PEIE分别阻挡来自顶层的电子和来自底层的空穴，有效提高电子和空穴的注入势垒/势阱，使暗电流降低。
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