公开(公告)号：CN119758521A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202411701147.3

申请日：2024-11-26

Applicant: 吉林大学

Inventor： 陈威成 ,  胡贵军 ,  韩乐 ,  唐健凯 ,  徐启冬 ,  林慧欣 ,  陈王超 ,  赵梦琴 ,  杨羽翱

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02F1/365

Abstract: 本发明公开了一种基于新型连续束缚态的免刻蚀光波导及色散调控方法，属于集成光电子领域，从上到下依次包括波导包层、低射率平板层、光波导层、氧化埋层及衬底；所述光波导层、氧化埋层及衬底的宽度及长度均相同；所述波导包层是由若干个条形结构组合而成。所述免刻蚀光波导不需要复杂的刻蚀工艺，降低了制造成本，减少工艺误差和缺陷，简化了制造工艺，且具有低损耗的特性，有利于开发超低损耗的波导器件。所述色散控制方法可以在不使用离子束刻蚀和光刻工艺改变光波导的形貌的情况下实现对模式的色散调控，有助于高性能片上非线性器件的开发。