基于金修饰ZnFe2O4敏感材料和S-1分子筛的DMMP气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN117309953A

    公开(公告)日:2023-12-29

    申请号:CN202311241404.5

    申请日:2023-09-25

    Applicant: 吉林大学

    Abstract: 一种基于金修饰ZnFe2O4敏感材料和S‑1分子筛的DMMP气体传感器及其制备方法,属于半导体氧化物气体传感器技术领域。传感器是由市售的外表面带有2个分立的L形金电极的Al2O3衬底、涂敷在Al2O3衬底外表面和L形金电极上金修饰ZnFe2O4敏感材料、旋涂于金修饰ZnFe2O4敏感材料上的S‑1分子筛组成。本发明由简单溶剂热法制备出金修饰ZnFe2O4敏感材料,实现了气敏特性的较大飞跃;进一步在敏感材料上旋涂S‑1分子筛共同制备的传感器对DMMP表现出卓越的选择性和灵敏度,有较好的长期稳定性和重复性。具有器件工艺简单、体积小、适于大批量生产的特点,在检测DMMP污染物方面有广阔的应用前景。

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