公开(公告)号：CN101521238B

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200910066784.7

申请日：2009-04-09

Applicant: 吉林大学

Inventor： 彭新村 ,  张宝林 ,  郭欣 ,  董鑫 ,  赵晓薇 ,  郑伟 ,  杜国同

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02E10/544

Abstract: 本发明属于热光伏技术领域，具体涉及一种基于晶格匹配的GaxIn1-xAs1-ySby四元半导体的高转换效率的异质结热光伏电池，由下至上依次包括背电极、N型衬底、N型宽禁带Gax1In1-x1As1-y1Sby1有源层、轻掺杂的P-型窄禁带Gax2In1-x2As1-y2Sby2有源层、重掺杂的P+型宽禁带Gax3In1-x3As1-y3Sby3限制层和栅条形上电极。进一步，在P+型宽禁带限制层和栅条形上电极间增加P型GaSb窗口钝化层，在N型衬底和N型宽禁带有源层间增加N型GaSb背面限制层。应用于低温辐射器热光伏系统的热光伏电池，稳定性好，安全系数高，可以应用于航天、军事、工业、生活等领域。

公开(公告)号：CN101521238A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200910066784.7

申请日：2009-04-09

Applicant: 吉林大学

Inventor： 彭新村 ,  张宝林 ,  郭欣 ,  董鑫 ,  赵晓薇 ,  郑伟 ,  杜国同

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/02 ,  H01L31/0224

CPC classification number: Y02E10/544

Abstract: 本发明属于热光伏技术领域，具体涉及一种基于晶格匹配的GaxIn1－xAs1－ySby四元半导体的高转换效率的异质结热光伏电池，由下至上依次包括背电极、N型衬底、N型宽禁带Gax1In1－x1As1－y1Sby1有源层、轻掺杂的P－型窄禁带Gax2In1－x2As1－y2Sby2有源层、重掺杂的P+型宽禁带Gax3In1－x3As1－y3Sby3限制层和栅条形上电极。进一步，在P+型宽禁带限制层和栅条形上电极间增加P型GaSb窗口钝化层，在N型衬底和N型宽禁带有源层间增加N型GaSb背面限制层。应用于低温辐射器热光伏系统的热光伏电池，稳定性好，安全系数高，可以应用于航天、军事、工业、生活等领域。