公开(公告)号：CN113540352B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202110677641.0

申请日：2021-06-18

Applicant: 吉林大学

Inventor： 王海波 ,  刘思佳 ,  唐翊彭 ,  阴晓文

IPC: H10K71/16 ,  H10K10/46 ,  C23C14/02 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明公开了有机光电子器件及柔性显示应用技术领域的溶液加工与真空蒸镀结合制备有机晶体薄膜的方法，该方法是首先在基板上采用溶液加工的方法制备出大面积单一取向的有机晶体薄膜，然后再采用真空蒸镀的方法沉积有机半导体材料，完成对取向晶体薄膜间隙的填充和厚度的调控。最终获得大面积高取向全基板覆盖的类单晶薄膜，并且具有大面积均匀和单一取向的特点，解决了薄膜的最佳形貌与最佳厚度不匹配的问题。此种方法制备的有机半导体晶体管薄膜可以用作场效应晶体管，光伏电池和二极管器件的半导体活化层。

公开(公告)号：CN113540352A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110677641.0

申请日：2021-06-18

Applicant: 吉林大学

Inventor： 王海波 ,  刘思佳 ,  唐翊彭 ,  阴晓文

IPC: H01L51/40 ,  C23C14/02 ,  C23C14/12 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明公开了有机光电子器件及柔性显示应用技术领域的溶液加工与真空蒸镀结合制备有机晶体薄膜的方法，该方法是首先在基板上采用溶液加工的方法制备出大面积单一取向的有机晶体薄膜，然后再采用真空蒸镀的方法沉积有机半导体材料，完成对取向晶体薄膜间隙的填充和厚度的调控。最终获得大面积高取向全基板覆盖的类单晶薄膜，并且具有大面积均匀和单一取向的特点，解决了薄膜的最佳形貌与最佳厚度不匹配的问题。此种方法制备的有机半导体晶体管薄膜可以用作场效应晶体管，光伏电池和二极管器件的半导体活化层。