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公开(公告)号：CN101831566A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN201010195885.7
申请日：2010-06-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种提高集成电路铜引线抗氧化复合膜的制备方法，该方法是将少量Al与Cu混合，在电弧炉中反复熔炼，制成CuAl合金；并在加热炉中氢气氛下退火、保温一定时间，冷却至室温，制备成抗氧化铜。添加Al元素后在氢气中退火通过偏析作用使合金中的Al偏析到Cu表面并与退火气氛中剩余的O反应在合金表面生成Al2O3，在Cu表面形成机械性能良好的Cu-Al2O3复合物附着膜，阻碍了Cu的进一步氧化，很好的解决铜内连接线的氧化问题。现有的集成电路中封装材料的封装温度低于400℃，使用CuAl合金作引线框架材料在其表面形成Cu-Al2O3复合物附着膜不仅提高了引线材料的抗氧化能力，还降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN101775509A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010101728.5
申请日：2010-01-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种通过添加氧族合金元素提高铜抗腐蚀能力的方法。是将S、Se、Te分别与Cu混合；在电弧炉中反复熔炼，制成Cu-S、Cu-Se或Cu-Te合金；并在加热炉中退火、保温一定时间，冷却至室温，制备成抗腐蚀铜。铜被腐蚀后表面被针状的晶须覆盖，晶须密度高，添加了合金元素后，合金元素就会部分替代氧进入到铜的氧化物晶格中，减弱了铜空位的形成能力，阻碍了铜的晶格扩散，提高了表面氧化铜的保护能力，使合金铜的抗腐蚀能力强于纯铜。充分利用铜冶炼过程中残留的Se和Te，既能提高铜的抗腐蚀能力，又能降低生产成本。现有的集成电路中封装材料的封装温度低于673K，使用Cu-Se、Cu-Te合金作引线框架材料不仅提高了封装材料的抗腐蚀能力，还降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN101775509B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010101728.5
申请日：2010-01-28
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种通过添加氧族合金元素提高铜抗腐蚀能力的方法。是将S、Se、Te分别与Cu混合；在电弧炉中反复熔炼，制成Cu-S、Cu-Se或Cu-Te合金；并在加热炉中退火、保温一定时间，冷却至室温，制备成抗腐蚀铜。铜被腐蚀后表面被针状的晶须覆盖，晶须密度高，添加了合金元素后，合金元素就会部分替代氧进入到铜的氧化物晶格中，减弱了铜空位的形成能力，阻碍了铜的晶格扩散，提高了表面氧化铜的保护能力，使合金铜的抗腐蚀能力强于纯铜。充分利用铜冶炼过程中残留的Se和Te，既能提高铜的抗腐蚀能力，又能降低生产成本。现有的集成电路中封装材料的封装温度低于673K，使用Cu-Se、Cu-Te合金作引线框架材料不仅提高了封装材料的抗腐蚀能力，还降低了封装成本。
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公开(公告)号：CN101831566B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010195885.7
申请日：2010-06-10
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明涉及一种提高集成电路铜引线抗氧化复合膜的制备方法，该方法是将少量Al与Cu混合，在电弧炉中反复熔炼，制成CuAl合金；并在加热炉中氢气氛下退火、保温一定时间，冷却至室温，制备成抗氧化铜。添加Al元素后在氢气中退火通过偏析作用使合金中的Al偏析到Cu表面并与退火气氛中剩余的O反应在合金表面生成Al2O3，在Cu表面形成机械性能良好的Cu-Al2O3复合物附着膜，阻碍了Cu的进一步氧化，很好的解决铜内连接线的氧化问题。现有的集成电路中封装材料的封装温度低于400℃，使用CuAl合金作引线框架材料在其表面形成Cu-Al2O3复合物附着膜不仅提高了引线材料的抗氧化能力，还降低了封装成本。
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