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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116794903A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310702368.1
申请日：2023-06-14
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了折射率分布调节的增益均衡少模光波导放大器及制备方法，属于聚合物光波导放大器技术领域；该少模光波导放大器从下至上依次为二氧化硅衬底、芯层以及聚甲基丙烯酸甲酯上包层，所述芯层包括内芯层和外芯层，所述内芯层的折射率大于所述上包层和衬底的折射率，所述外芯层的折射率略高于内芯层的折射率，内外芯层为掺杂纳米粒子浓度相同的聚合物材料。本发明公开的制备方法，包括旋转涂覆、加热固化、光刻显影、套刻等步骤。本发明所设计的少模光波导放大器能够在单一模式泵浦条件下实现少模信号均衡放大，测试系统简单，模式间增益差小，能够补偿片上模分复用系统损耗，推动模分复用技术的发展。
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公开(公告)号：CN113964630A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111213492.9
申请日：2021-10-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于PbS量子点的聚合物光波导放大器及其制备方法，属于聚合物光波导器件制备技术领域，本发明的制备方法以PbS作为增益介质，以SU‑8为光波导芯层本底，采用离散的PbS量子点作为掺杂介质。由于PbS量子点易溶于有机溶剂(如甲苯、正己烷)，并且在有机溶剂中的稳定性会更高，所以将PbS量子点溶于甲苯中，提高其稳定性。同时，PbS量子点对温度很敏感，在高温环境下易失效，所以在工艺流程上有所改变。该方法利用紫外热光漂白工艺，其芯层材料不经过显影，只是在掺杂SU‑8内波导区域与非波导区域形成折射率差实现导光通道，这样可以使PbS量子点的温度控制在可调范围内，光漂白工艺还可以实现高浓度掺杂。
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公开(公告)号：CN113964630B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202111213492.9
申请日：2021-10-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种基于PbS量子点的聚合物光波导放大器及其制备方法，属于聚合物光波导器件制备技术领域，本发明的制备方法以PbS作为增益介质，以SU‑8为光波导芯层本底，采用离散的PbS量子点作为掺杂介质。由于PbS量子点易溶于有机溶剂(如甲苯、正己烷)，并且在有机溶剂中的稳定性会更高，所以将PbS量子点溶于甲苯中，提高其稳定性。同时，PbS量子点对温度很敏感，在高温环境下易失效，所以在工艺流程上有所改变。该方法利用紫外热光漂白工艺，其芯层材料不经过显影，只是在掺杂SU‑8内波导区域与非波导区域形成折射率差实现导光通道，这样可以使PbS量子点的温度控制在可调范围内，光漂白工艺还可以实现高浓度掺杂。
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公开(公告)号：CN113866877A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111180078.2
申请日：2021-10-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物少模波导及其制备方法，属于平面光子器件技术领域，从下到上，依次由二氧化硅衬底、在二氧化硅衬底上旋涂的少模波导芯层、在少模波导芯层上旋涂的上包层组成，所述少模波导芯层采用稀土掺杂有源聚合物材料，所述上包层采用无掺杂的聚合物材料；所述稀土掺杂有源聚合物材料是将稀土纳米粒子通过物理方法均匀掺杂到SU‑8聚合物材料中制备的芯层增益介质，所述稀土纳米粒子为NaYF4：Yb，Er纳米粒子，本发明的一种少模聚合物波导克服了传统光波导放大器仅能对单一模式放大的局限，实现多个信号模式同时放大的功能。有效补偿模分复用系统中由于模式间转换、耦合以及传输过程中所产生的损耗，从而改善系统的传输性能。
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公开(公告)号：CN113866877B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202111180078.2
申请日：2021-10-11
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了一种聚合物少模波导及其制备方法，属于平面光子器件技术领域，从下到上，依次由二氧化硅衬底、在二氧化硅衬底上旋涂的少模波导芯层、在少模波导芯层上旋涂的上包层组成，所述少模波导芯层采用稀土掺杂有源聚合物材料，所述上包层采用无掺杂的聚合物材料；所述稀土掺杂有源聚合物材料是将稀土纳米粒子通过物理方法均匀掺杂到SU‑8聚合物材料中制备的芯层增益介质，所述稀土纳米粒子为NaYF4：Yb，Er纳米粒子，本发明的一种少模聚合物波导克服了传统光波导放大器仅能对单一模式放大的局限，实现多个信号模式同时放大的功能。有效补偿模分复用系统中由于模式间转换、耦合以及传输过程中所产生的损耗，从而改善系统的传输性能。
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