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公开(公告)号：CN114972317B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202210714903.0
申请日：2022-06-22
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种方形晶粒放置规划方法，通过对待处理图像先后进行中值滤波、二值化阈值分割处理，以及先腐蚀后膨胀的形态学操作，再对处理的图像进行轮廓检测，判断是否图像轮廓是否符合要求，最后通过已有晶粒排布检测、放置框中心点布置与排序、放置框检查等步骤，从而获得最终的晶粒放置规划结果图。本发明一种方形晶粒放置规划方法，简单高效，能够针对已有晶粒的情况实现排布规划待放置晶粒位置，具有检测判断速度快，效率高，准确度好，稳定性强，简捷高效的特点。
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公开(公告)号：CN114972317A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210714903.0
申请日：2022-06-22
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种方形晶粒放置规划方法，通过对待处理图像先后进行中值滤波、二值化阈值分割处理，以及先腐蚀后膨胀的形态学操作，再对处理的图像进行轮廓检测，判断是否图像轮廓是否符合要求，最后通过已有晶粒排布检测、放置框中心点布置与排序、放置框检查等步骤，从而获得最终的晶粒放置规划结果图。本发明一种方形晶粒放置规划方法，简单高效，能够针对已有晶粒的情况实现排布规划待放置晶粒位置，具有检测判断速度快，效率高，准确度好，稳定性强，简捷高效的特点。
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公开(公告)号：CN114897881B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202210656421.4
申请日：2022-06-10
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于边缘特征的晶粒缺陷检测方法，获取待检测的晶粒图像和模板晶粒图像；对待检测的晶粒图像和模板晶粒图像进行预处理，然后对模板晶粒图像进行轮廓检测，计算模板晶粒的尺寸参数，再寻找待检测的晶粒图像的所有轮廓，对找到的轮廓依次进行初步筛选，根据设置的精度等级，将待检测轮廓长宽与模板晶粒长宽进行比较，若待检测的轮廓长宽在限定范围内，则初步认定该轮廓是晶粒，再对其进行下一步检测；模板匹配：将初步认定为晶粒的轮廓与模板晶粒进行模板匹配，得到二者相关性；设置边缘检测框检测缺陷。本发明使用灰度直方图相似性模板匹配的方法实现晶粒查找并设置检测框检测边缘判断晶粒缺陷。
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公开(公告)号：CN114897881A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210656421.4
申请日：2022-06-10
Applicant: 合肥工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于边缘特征的晶粒缺陷检测方法，获取待检测的晶粒图像和模板晶粒图像；对待检测的晶粒图像和模板晶粒图像进行预处理，然后对模板晶粒图像进行轮廓检测，计算模板晶粒的尺寸参数，再寻找待检测的晶粒图像的所有轮廓，对找到的轮廓依次进行初步筛选，根据设置的精度等级，将待检测轮廓长宽与模板晶粒长宽进行比较，若待检测的轮廓长宽在限定范围内，则初步认定该轮廓是晶粒，再对其进行下一步检测；模板匹配：将初步认定为晶粒的轮廓与模板晶粒进行模板匹配，得到二者相关性；设置边缘检测框检测缺陷。本发明使用灰度直方图相似性模板匹配的方法实现晶粒查找并设置检测框检测边缘判断晶粒缺陷。
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