公开(公告)号：CN118335757A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202310401739.2

申请日：2023-04-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄莉雯 ,  程仲良 ,  林炳豪 ,  李国政

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种像素感测器和其形成方法。像素感测器包括第一光电二极管、通过沟槽隔离结构与第一光电二极管分离的第二光电二极管、位于第一光电二极管上方且包括氧化物材料和金属的阻挡层，以及至少一个电极，其中电极配置成施加横跨阻挡层的电压差。电极通过改变阻挡层中所包括的金属材料的氧化，以控制像素感测器的光电二极管(例如，小像素侦测器的光电二极管)上方的阻挡层的透光率。通过使用电极调整阻挡层的透光率，可以使用单一制造工艺形成针对不同用途及/或产品的像素感测器。因此，可以节约切换制造工艺中可能消耗的能源和加工资源。另外，可以减少制造时间，例如通过消除重新设置制造设备所使用的停机时间。

公开(公告)号：CN113594192A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110811899.5

申请日：2021-07-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄莉雯 ,  方俊霖 ,  潘冠伶 ,  林炳豪 ,  李国政 ,  吴振铭

IPC: H01L27/146

Abstract: 半导体器件包括：第一类型的光感测单元，其中，第一类型的光感测单元的每个示例可操作的以接收第一辐射量；以及第二类型的光感测单元，其中，第二类型的光感测单元的的每个示例可操作的以接收第二辐射量，并且将第二类型的光感测单元与第一类型的光感测单元布置在阵列中，以形成像素传感器。第一辐射量小于第二辐射量，并且第一类型的光感测单元的至少第一示例与第一类型的光感测单元的的第二示例相邻。本发明的实施例还涉及半导体图像传感器以及制造半导体器件的方法。