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发明公开
半导体器件和形成半导体器件的方法审中-实审

公开(公告)号：CN113363206A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110585243.6

申请日：2021-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄嘉铭 , 郑明达 , 李松柏 , 陈荣佑 , 管清华 , 李梓光

IPC: H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/82 , H01L27/06 , H01L27/13

Abstract: 方法包括在导电部件上方沉积第一钝化层，其中第一钝化层具有第一介电常数；在第一钝化层上方形成电容器；在电容器上方沉积第二钝化层，其中第二钝化层具有大于第一介电常数的第二介电常数。该方法还包括在电容器上方形成电连接到电容器的再分布线；在再分布线上方沉积第三钝化层；以及形成穿透第三钝化层以电连接至再分布线的凸块下金属(UBM)。本申请的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。

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