公开(公告)号：CN107301999A

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：CN201710224306.9

申请日：2017-04-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 管清华 ,  蒋振劼 ,  郑志成

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/7853 ,  H01L27/0924

Abstract: 本发明实施例提供了一种FinFET，包括衬底、多个绝缘体和栅极堆叠件。衬底包括多个沟槽和位于沟槽之间的至少一个半导体鳍，其中，半导体鳍包括至少一个槽，并且至少一个槽位于半导体鳍的顶面上。绝缘体设置在沟槽中。栅极堆叠件部分地覆盖半导体鳍、至少一个槽和绝缘体。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管。本发明实施例涉及鳍式场效应晶体管。

公开(公告)号：CN113363206A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110585243.6

申请日：2021-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄嘉铭 ,  郑明达 ,  李松柏 ,  陈荣佑 ,  管清华 ,  李梓光

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  H01L21/82 ,  H01L27/06 ,  H01L27/13

Abstract: 方法包括在导电部件上方沉积第一钝化层，其中第一钝化层具有第一介电常数；在第一钝化层上方形成电容器；在电容器上方沉积第二钝化层，其中第二钝化层具有大于第一介电常数的第二介电常数。该方法还包括在电容器上方形成电连接到电容器的再分布线；在再分布线上方沉积第三钝化层；以及形成穿透第三钝化层以电连接至再分布线的凸块下金属(UBM)。本申请的实施例还涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。