-
公开(公告)号：CN116157005A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210466103.1
申请日：2022-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 乔治奥斯韦理安尼堤斯 , 马可范 , 达尔 , 荷尔本朵尔伯斯
Abstract: 本揭露涉及一种包括铁电层的集成芯片。铁电层包括铁电材料。第一松弛层包括与铁电材料不同的第一材料，且位于铁电层的第一侧上。第二松弛层包括与铁电材料不同的第二材料，且位于铁电层的第二侧上，第二侧与第一侧相对。第一松弛层的杨氏模量小于铁电层的杨氏模量。
Search Results
1
records
(took 0.021 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
