公开(公告)号：CN113013159B

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202011298209.2

申请日：2020-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈耿尧 ,  张长昀 ,  温明璋

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 本文描述的实施例针对用于减轻由图案化的栅极结构产生的边缘电容的方法。该方法包括在设置在基板上的鳍结构上形成栅极结构；在栅极结构中形成开口以将栅极结构划分为第一部分和第二部分，其中第一部分和第二部分通过开口间隔开。该方法还包括在开口中形成填充结构，其中形成填充结构包括在开口中沉积氮化硅衬垫以覆盖开口的侧壁表面，以及在氮化硅衬垫上沉积氧化硅。本申请的实施例还包括一种半导体结构。

公开(公告)号：CN113013159A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011298209.2

申请日：2020-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈耿尧 ,  张长昀 ,  温明璋

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本文描述的实施例针对用于减轻由图案化的栅极结构产生的边缘电容的方法。该方法包括在设置在基板上的鳍结构上形成栅极结构；在栅极结构中形成开口以将栅极结构划分为第一部分和第二部分，其中第一部分和第二部分通过开口间隔开。该方法还包括在开口中形成填充结构，其中形成填充结构包括在开口中沉积氮化硅衬垫以覆盖开口的侧壁表面，以及在氮化硅衬垫上沉积氧化硅。本申请的实施例还包括一种半导体结构。

公开(公告)号：CN113130313A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011622803.2

申请日：2020-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 温明璋 ,  张长昀 ,  陈耿尧 ,  戴振宇 ,  傅依婷

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明实施例涉及半导体装置的形成方法，说明具有可调栅极高度与有效电容的装置的制作方法。方法包括形成第一金属栅极堆叠于半导体基板的虚置区中，且第一金属栅极堆叠包括第一功函数金属层；形成第二金属栅极堆叠于半导体基板的主动装置区中，第二金属栅极堆叠包括第二功函数金属层，且第一功函数金属层与第二功函数金属层不同；以及采用含电荷的多个研磨纳米颗粒的研磨液进行化学机械研磨制程。含电荷的研磨纳米颗粒在主动装置区中的第一浓度与在虚置区中的第二浓度不同，造成主动装置区与虚置区中的研磨速率不同。化学机械研磨制程之后的第一金属栅极堆叠具有第一高度而第二金属栅极堆叠具有第二高度，且第一高度与第二高度不同。