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公开(公告)号：CN118762994A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410760052.2
申请日：2024-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 在实施例中，一种半导体装置的形成方法包括：在基板上方形成多个鳍片，多个鳍片包含：相邻于隔离区的第一半导体鳍片；以及嵌入隔离区中的介电鳍片；在第一半导体鳍片的第一表面、介电鳍片的第二表面、及隔离区的第三表面上方沉积硅层；在硅层上方形成氧化物层；移除氧化物层及硅层的一部分以曝光介电鳍片的第二表面；在氧化物层的剩余部分上方且在多个鳍片之间形成虚设栅极；在第一半导体鳍片中形成第一磊晶区；以及用栅极结构替换虚设栅极。
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