公开(公告)号：CN106816469A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201610672025.5

申请日：2016-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖耕颍 ,  陈柏仁 ,  陈怡傑 ,  陈益弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在此提供一种用于制造一半导体结构的方法，而且此方法包括以下步骤。栅极结构形成于基板上，及形成衬里层以覆盖栅极结构及基板。间隔物层形成于衬里层上，及连续提供蚀刻气体以将基板维持在第二压力下而移除间隔物层的一部分。此蚀刻气体具有第一压力。第二压力大于第一压力。

公开(公告)号：CN106816469B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201610672025.5

申请日：2016-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖耕颍 ,  陈柏仁 ,  陈怡傑 ,  陈益弘

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在此提供一种用于制造一半导体结构的方法，而且此方法包括以下步骤。栅极结构形成于基板上，及形成衬里层以覆盖栅极结构及基板。间隔物层形成于衬里层上，及连续提供蚀刻气体以将基板维持在第二压力下而移除间隔物层的一部分。此蚀刻气体具有第一压力。第二压力大于第一压力。