公开(公告)号：CN116246946A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202310034092.4

申请日：2023-01-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张又仁 ,  陈志仰 ,  陈华丰 ,  潘国华 ,  江木吉

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/70 ,  H01L21/308 ,  H01L21/8234

Abstract: 根据本申请的实施例提供了制造半导体器件的方法。在制造半导体器件的方法中，获得初始图案布局。初始图案布局包括鳍图案，鳍图案包括将形成为有源鳍结构的有源鳍图案和不形成为实际鳍结构或者将被去除的伪鳍图案。鳍图案的位置被修改如下。将相邻的有源鳍图案之间的间距增加第一量，将伪鳍图案之间的间距减小第二量，以及将伪鳍图案中的一个伪鳍图案和与该伪鳍图案相邻的有源鳍图案中一个有源鳍图案之间的间距减小第三量。放置芯轴图案，使得修改了位置的鳍图案沿着芯轴图案的纵向边缘放置。

公开(公告)号：CN221668839U

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202323388582.9

申请日：2023-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志仰

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/08

Abstract: 一种半导体元件包括一基板、基板上方的第一半导体元件及基板上方的第二半导体元件。一半导体元件的第一源极/漏极磊晶结构中的每一者包括一第一磊晶层及第一磊晶层上方的一第二磊晶层，且第二磊晶层的一底表面低于第一半导体层中的一最底第一半导体层。第一半导体层的一数目小于第二半导体层的一数目，第二半导体元件第二源极/漏极磊晶结构中的每一者包括一第三磊晶层及第三磊晶层上方的一第四磊晶层，且第四磊晶层的一底表面低于第二半导体层中的一最底第二半导体层。