公开(公告)号：CN108385071A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201710063581.7

申请日：2017-02-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李乾铭 ,  陈俊吉 ,  林世杰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C16/455 ,  H01L43/12

CPC classification number: C23C14/0063 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/35 ,  C23C16/45568 ,  H01L43/12

Abstract: 一种气体供应装置，包含一气体供应头、一第一盘体、一第二盘体以及一旋转致动器。第一盘体具有至少一开口。第一盘体的开口与第二盘体在气体供应头上的投影是重叠的。第二盘体包含多个扇形区域。该些扇形区域是沿着该第二盘体的角向方向排列的，该些扇形区域内的气孔分布不同。旋转致动器用以驱动第一盘体、第二盘体或其组合，使得第一盘体与第二盘体在角向方向上相对旋转。

公开(公告)号：CN114724614A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202210179905.4

申请日：2022-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 简政尉 ,  庄学理 ,  沈桂弘 ,  黄国峰 ,  林柏宏 ,  陈俊吉

IPC: G11C29/00 ,  G11C11/16

Abstract: 一种磁铁组态系统与在磁阻式随机存取记忆体晶片中侦测磁穿隧接面矫顽磁力弱位元的方法，揭露的方法包括将含有磁阻式随机存取记忆体(magnetoresistive random‑access memory；MRAM)元件的半导体晶圆放置在第一磁场中，此第一磁场具有足以磁极化MRAM位元的强度且在晶圆的整个区域上具有实质均匀的场强度与方向。此方法还包括将晶圆放置在第二磁场中，此第二磁场有相反的场方向、在晶圆的整体区域上有实质均匀的场强度与方向与小于磁性反转MRAM位元的设计门槛。此方法还包括通过找出因暴露于第二磁场而被磁极反转的失效MRAM位元，判定失效MRAM位元存在。通过电性读取数据位元，或者由晶片探针读取MRAM元件的电压、电流、电阻等的一或多者还可以区分失效的MRAM位元。

公开(公告)号：CN108385071B

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN201710063581.7

申请日：2017-02-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李乾铭 ,  陈俊吉 ,  林世杰

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C16/455 ,  H01L43/12

Abstract: 一种气体供应装置，包含一气体供应头、一第一盘体、一第二盘体以及一旋转致动器。第一盘体具有至少一开口。第一盘体的开口与第二盘体在气体供应头上的投影是重叠的。第二盘体包含多个扇形区域。该些扇形区域是沿着该第二盘体的角向方向排列的，该些扇形区域内的气孔分布不同。旋转致动器用以驱动第一盘体、第二盘体或其组合，使得第一盘体与第二盘体在角向方向上相对旋转。

公开(公告)号：CN107046024A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710040781.0

申请日：2017-01-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈俊吉 ,  郑凯文 ,  蔡正原 ,  吴国铭

IPC: H01L23/64

CPC classification number: H01L28/10

Abstract: 半导体结构包括第一磁性层、绝缘氧化物层、氧俘获层和覆盖层。绝缘氧化物层位于第一磁性层上方。氧俘获层位于绝缘氧化物层上方。氧俘获层的氧浓度低于绝缘氧化物层的氧浓度。覆盖层位于氧俘获层上方。