公开(公告)号：CN119495577A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411109063.0

申请日：2024-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 薛仰志 ,  蔡延佐 ,  锺明慈 ,  林咏淇

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 一种形成半导体结构的方法，包括：在具有第一翘曲的封装组件上沉积介电层；以及实施注入工艺，以利用应力调制掺杂剂对介电层进行注入。在注入工艺之后，封装组件具有小于第一翘曲的第二翘曲。本申请的实施例还涉及半导体结构。

公开(公告)号：CN119108376A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411111620.2

申请日：2024-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡延佐 ,  锺明慈 ,  薛仰志 ,  林咏淇

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/768 ,  H01L23/10

Abstract: 封装件包括：第一管芯，位于第二管芯的第一侧上方并且接合至第二管芯的第一侧，其中，第二管芯包括：第一衬底；第一互连结构，位于第一衬底上方；密封环，设置在第一互连结构内；第一伪衬底通孔(TSV)，延伸穿过第二管芯的第一衬底的边缘区域并且与密封环物理接触；以及功能TSV，延伸穿过第二管芯的第一衬底的中心区域。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN119495579A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411152309.2

申请日：2024-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 锺明慈 ,  林咏淇 ,  蔡延佐 ,  薛仰志

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 在封装器件中，其中，集成电路器件接合至衬底，可以通过将应力缓冲空气间隙掺入至保护材料(诸如间隙填充氧化物)中来减轻或消除由机械应变、CTE失配等引起的应力。空气间隙可以通过在沉积工艺期间调整和改变沉积参数和/或通过调整封装件中的相邻集成电路器件的尺寸和放置和/或通过在接合工艺之前在保护材料中形成沟槽来形成。本申请的实施例还涉及封装器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN120015632A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510119117.X

申请日：2025-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 锺明慈 ,  林咏淇 ,  蔡延佐 ,  薛仰志

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

Abstract: 一种形成半导体结构的方法包括：对第一晶圆执行等离子体处理，对第一晶圆执行处理工艺，其中处理工艺使得第一晶圆比处理工艺之前更加疏水；通过晶圆对晶圆接合将第一晶圆预接合到第二晶圆；以及执行退火工艺以将第一晶圆接合到第二晶圆。本公开的实施例还提供了半导体结构。

公开(公告)号：CN119108340A

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202411111638.2

申请日：2024-08-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 锺明慈 ,  林咏淇 ,  蔡延佐 ,  薛仰志 ,  叶名世

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

Abstract: 一种形成封装结构的方法包括将器件管芯接合至封装组件上。器件管芯包括半导体衬底和延伸到半导体衬底中的贯通孔。该方法还包括沉积介电衬垫以衬在器件管芯的侧壁上；在介电衬垫上沉积介电层；以及平坦化介电层和第一器件管芯。介电衬垫和介电层的剩余部分形成间隙填充区域，并且露出贯通孔的顶端。执行注入工艺以将应力调制掺杂剂引入到介电衬垫和介电层中的至少一个中。在贯通孔上方形成再分布线，并且再分布线电连接至贯通孔。本公开的实施例还涉及封装结构。

公开(公告)号：CN118315284A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410307538.0

申请日：2024-03-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林咏淇 ,  锺明慈

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了一种形成封装件的方法，包括：通过晶圆上晶圆接合，将第一晶圆与第二晶圆接合，其中第二晶圆包括其中的第一多个器件管芯。通过晶圆上芯片接合，将第二多个器件管芯接合在第二晶圆上。实施间隙填充工艺，以通过间隙填充区填充第二多个器件管芯之间的间隙。间隙填充区和第二多个器件管芯共同形成重构晶圆。根据本申请的其他实施例，还提供了一种封装件结构。