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发明公开
半导体元件结构及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN112750822A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011195344.4

申请日：2020-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱熙甯 , 江国诚 , 郑冠仑 , 王志豪

IPC: H01L27/088 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L21/8238

Abstract: 提供一种半导体元件结构及其形成方法。半导体元件结构包括于基底上的半导体鳍片，以及悬置于半导体鳍片上的多个半导体纳米结构。半导体元件结构也包括延伸跨越半导体鳍片的栅极堆叠，且栅极堆叠包绕每个半导体纳米结构。半导体元件结构还包括包夹半导体纳米结构的第一外延结构和第二外延结构。第一外延结构和第二外延结构的每一个延伸超过半导体鳍片的顶面。此外，半导体元件结构包括于半导体鳍片和栅极堆叠之间的隔离结构。隔离结构更延伸超过第一外延结构的两侧侧壁。

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