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公开(公告)号：CN109786274B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810789446.5
申请日：2018-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 为了减少或消除通孔的分层，将集成扇出叠层封装结构与去湿结构一起使用。在实施例中，去湿结构是通过施加第一晶种层和第二晶种层形成的钛环，以帮助制造通孔。然后将第一晶种层图案化成环结构，该环结构也暴露第一晶种层的至少部分。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN109216207B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201711278625.4
申请日：2017-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例提供了一种形成封装件的方法，包括在载体上方形成释放膜、在释放膜上形成金属柱、将金属柱包封在包封材料中、在包封材料上实施平坦化以暴露金属柱、在包封材料和金属柱上方形成重分布结构、分解释放膜的第一部分以将释放膜的第二部分与载体分离、以及在释放膜中形成开口以暴露金属柱。本申请的实施例还提供了另一种形成封装件的方法以及一种封装件。
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公开(公告)号：CN112530815A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201911394504.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种在半导体装置制造中的移位控制方法包括至少以下步骤。确定半导体管芯的第一目标与所述半导体管芯的第二目标的叠对偏移，其中所述第二目标设置在所述第一目标上。将所述半导体管芯放置在载体之上，其中放置所述半导体管芯包括反馈所述叠对偏移以得到对所述半导体管芯的位置控制。对所述半导体管芯进行后处理以形成半导体装置。还提供其他在半导体装置制造中的移位控制方法。
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公开(公告)号：CN109216207A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201711278625.4
申请日：2017-12-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例提供了一种形成封装件的方法，包括在载体上方形成释放膜、在释放膜上形成金属柱、将金属柱包封在包封材料中、在包封材料上实施平坦化以暴露金属柱、在包封材料和金属柱上方形成重分布结构、分解释放膜的第一部分以将释放膜的第二部分与载体分离、以及在释放膜中形成开口以暴露金属柱。本申请的实施例还提供了另一种形成封装件的方法以及一种封装件。
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公开(公告)号：CN112530815B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN201911394504.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种在半导体装置制造中的移位控制方法包括至少以下步骤。确定半导体管芯的第一目标与所述半导体管芯的第二目标的叠对偏移，其中所述第二目标设置在所述第一目标上。将所述半导体管芯放置在载体之上，其中放置所述半导体管芯包括反馈所述叠对偏移以得到对所述半导体管芯的位置控制。对所述半导体管芯进行后处理以形成半导体装置。还提供其他在半导体装置制造中的移位控制方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112530913B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202010096503.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本揭露实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括电路元件、第一半导体管芯、第二半导体管芯、散热元件以及绝缘包封体。第一半导体管芯及第二半导体管芯位于电路元件上。散热元件连接到第一半导体管芯，且第一半导体管芯位于电路元件与散热元件之间，其中第一半导体管芯的第一厚度与散热元件的第三厚度之和实质上等于第二半导体管芯的第二厚度。绝缘包封体包封第一半导体管芯、第二半导体管芯及散热元件，其中散热元件的表面与绝缘包封体实质上齐平。
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公开(公告)号：CN109786274A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201810789446.5
申请日：2018-07-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 为了减少或消除通孔的分层，将集成扇出叠层封装结构与去湿结构一起使用。在实施例中，去湿结构是通过施加第一晶种层和第二晶种层形成的钛环，以帮助制造通孔。然后将第一晶种层图案化成环结构，该环结构也暴露第一晶种层的至少部分。本发明的实施例还涉及半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN109585368B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN201810199539.2
申请日：2018-03-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/304
Abstract: 本发明实施例涉及半导体封装结构、半导体封装结构的形成方法以及半导体组装结构的形成方法。一种半导体封装结构包含第一封装结构组件，所述第一封装结构组件包含第一侧、与所述第一侧相对的第二侧及位于所述第一侧上方的多个凹陷拐角。所述半导体封装结构包含置于所述凹陷拐角处的多个第一应力缓冲结构，且各所述第一应力缓冲结构具有弯曲表面。所述半导体封装结构包含连接到所述第一封装结构组件的第二封装结构组件及放置于之间的多个连接件。所述半导体封装结构包含位于所述第一封装结构组件与所述第二封装结构组件之间的底胶材料，且所述第一应力缓冲结构的所述弯曲表面的至少一部分与所述底胶材料接触且嵌入于所述底胶材料中。
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公开(公告)号：CN112530913A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010096503.9
申请日：2020-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L25/065 , H01L21/98 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/56
Abstract: 本揭露实施例是有关于一种封装结构及其制造方法。一种封装结构包括电路元件、第一半导体管芯、第二半导体管芯、散热元件以及绝缘包封体。第一半导体管芯及第二半导体管芯位于电路元件上。散热元件连接到第一半导体管芯，且第一半导体管芯位于电路元件与散热元件之间，其中第一半导体管芯的第一厚度与散热元件的第三厚度之和实质上等于第二半导体管芯的第二厚度。绝缘包封体包封第一半导体管芯、第二半导体管芯及散热元件，其中散热元件的表面与绝缘包封体实质上齐平。
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公开(公告)号：CN108933108A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201711207692.7
申请日：2017-11-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L23/367 , H01L23/552
Abstract: 本揭露涉及半导体装置封装及其制造方法。一种半导体装置封装包含衬底、半导体芯片、第一环结构及第二环结构。所述衬底包含表面。所述半导体芯片位于所述衬底的所述表面上方。所述第一环结构位于所述衬底的所述表面上方。所述第二环结构位于所述衬底的所述表面上方，其中所述第一环结构位于所述半导体芯片与所述第二环结构之间。
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