公开(公告)号：CN114242590A

公开(公告)日：2022-03-25

申请号：CN202111485426.7

申请日：2016-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱耀德 ,  陈蕙祺 ,  叶震亚

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，其包括第一场效应晶体管(FET)，第一场效应晶体管(FET)包括第一栅极介电层和栅电极。所述第一栅电极包括第一下金属层和第一上金属层。所述第一下金属层包括与所述第一栅极介电层接触的第一底金属层以及包括第一块状金属层。所述第一上金属层的底部与所述第一底金属层的上表面及所述第一块状金属层的上表面接触。本发明实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法，并且具体涉及一种结构和一种金属栅极结构的制造方法。

公开(公告)号：CN108231684B

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201710789333.0

申请日：2017-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱耀德 ,  吕伟元 ,  郭建亿 ,  杨世海 ,  陈燕铭

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本发明公开了用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的源极和漏极形成技术。用于形成FinFET的外延源极/漏极部件的示例性方法包括使用含硅前体和含氯前体在多个鳍上外延生长半导体材料。半导体材料合并以形成跨越多个鳍的外延部件，其中多个鳍具有小于约25nm的鳍间隔。含硅前体的流量与含氯前体的流量的比率小于约5。该方法还包括使用含氯前体回蚀刻半导体材料，从而改变外延部件的轮廓。仅实施一次外延生长和回蚀刻。在FinFET是n型FinFET的一些实施方式中，外延生长还使用含磷前体。

公开(公告)号：CN108231684A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710789333.0

申请日：2017-09-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱耀德 ,  吕伟元 ,  郭建亿 ,  杨世海 ,  陈燕铭

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本发明公开了用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的源极和漏极形成技术。用于形成FinFET的外延源极/漏极部件的示例性方法包括使用含硅前体和含氯前体在多个鳍上外延生长半导体材料。半导体材料合并以形成跨越多个鳍的外延部件，其中多个鳍具有小于约25nm的鳍间隔。含硅前体的流量与含氯前体的流量的比率小于约5。该方法还包括使用含氯前体回蚀刻半导体材料，从而改变外延部件的轮廓。仅实施一次外延生长和回蚀刻。在FinFET是n型FinFET的一些实施方式中，外延生长还使用含磷前体。

公开(公告)号：CN106920751A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：CN201611074777.8

申请日：2016-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱耀德 ,  陈蕙祺 ,  叶震亚

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/785 ,  H01L29/66795

Abstract: 一种半导体器件，其包括第一场效应晶体管(FET)，第一场效应晶体管(FET)包括第一栅极介电层和栅电极。所述第一栅电极包括第一下金属层和第一上金属层。所述第一下金属层包括与所述第一栅极介电层接触的第一底金属层以及包括第一块状金属层。所述第一上金属层的底部与所述第一底金属层的上表面及所述第一块状金属层的上表面接触。本发明实施例涉及一种用于制造半导体器件的方法，并且具体涉及一种结构和一种金属栅极结构的制造方法。