公开(公告)号：CN103474397B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310035323.X

申请日：2013-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢彦莹 ,  吴集锡 ,  丁国强 ,  陈光鑫

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/6681

Abstract: 本发明提供了制造FinFET器件的许多不同的实施例，这些实施例提供了优于现有技术的一种或者多种改进。在一个实施例中，制造FinFET器件的方法包括提供半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的多个伪鳍和有源鳍。去除预定的伪鳍组。

公开(公告)号：CN109216274A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810461224.0

申请日：2018-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢彦莹 ,  陈华丰

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 器件和方法，包括在填充设置在半导体衬底上方的开口之前，用于配置衬垫层的轮廓。衬垫层在开口的底部处具有第一厚度，并且在开口的顶部处具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度。在实施例中，填充的开口提供了接触结构。本发明的实施例还涉及具有可配置轮廓的衬垫层的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN109216274B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201810461224.0

申请日：2018-05-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢彦莹 ,  陈华丰

IPC: H01L21/8234 ,  H01L27/088

Abstract: 器件和方法，包括在填充设置在半导体衬底上方的开口之前，用于配置衬垫层的轮廓。衬垫层在开口的底部处具有第一厚度，并且在开口的顶部处具有第二厚度，第二厚度小于第一厚度。在实施例中，填充的开口提供了接触结构。本发明的实施例还涉及具有可配置轮廓的衬垫层的半导体器件及其制造方法。

公开(公告)号：CN103474397A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201310035323.X

申请日：2013-01-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢彦莹 ,  吴集锡 ,  丁国强 ,  陈光鑫

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/76232 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/6681

Abstract: 本发明提供了制造FinFET器件的许多不同的实施例，这些实施例提供了优于现有技术的一种或者多种改进。在一个实施例中，制造FinFET器件的方法包括提供半导体衬底以及位于所述半导体衬底上的多个伪鳍和有源鳍。去除预定的伪鳍组。