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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110783291A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910699008.4
申请日：2019-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 诺·穆罕默德·艾杜维蒂尔 , 张丰愿 , 黄博祥 , 刘钦洲
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L25/07
Abstract: 本揭露是关于一种三维集成电路电源网与其形成方法。一种三维集成电路电源网，其包括第一集成电路晶粒、第二集成电路晶粒、界面以及电力分配结构。界面可配置于第一集成电路晶粒与第二集成电路晶粒之间。电力分配结构可连接至界面。电力分配结构可包含至少一硅导孔以及连接所述至少一硅导孔的阶梯结构。
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公开(公告)号：CN110729277A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910640542.8
申请日：2019-07-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 张丰愿 , 刘钦洲 , 钱清河 , 黄博祥 , 诺·穆罕默德·艾杜维蒂尔
IPC: H01L23/538
Abstract: 本揭露的一些实施方式说明一种半导体结构。半导体结构包括第一晶片，第一晶片具有第一导线与形成在第一导线上的第一导电岛。第一晶片还包括第一复数通孔，第一复数通孔形成在第一导电岛中，且电性耦接至第一导线。半导体结构还包括接合至第一晶片的第二晶片，其中第二晶片包括第二导线与形成在第二导线上的第二导电岛。第二晶片还包括第二复数通孔，第二复数通孔形成在第二导电岛中，且电性耦接至第二导线。
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公开(公告)号：CN112530899B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202010974947.8
申请日：2020-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件以及制造方法，其中，金属化层位于衬底上方，电源网格线位于金属化层内。信号焊盘位于金属化层内，并且信号焊盘由电源网格线围绕。信号外部连接件电连接至信号焊盘。本发明的实施例另一方面提供一种制造半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN110783291B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201910699008.4
申请日：2019-07-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 诺·穆罕默德·艾杜维蒂尔 , 张丰愿 , 黄博祥 , 刘钦洲
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/528 , H01L23/535 , H01L25/07
Abstract: 本揭露是关于一种三维集成电路电源网与其形成方法。一种三维集成电路电源网，其包括第一集成电路晶粒、第二集成电路晶粒、界面以及电力分配结构。界面可配置于第一集成电路晶粒与第二集成电路晶粒之间。电力分配结构可连接至界面。电力分配结构可包含至少一硅导孔以及连接所述至少一硅导孔的阶梯结构。
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公开(公告)号：CN112530899A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010974947.8
申请日：2020-09-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件以及制造方法，其中，金属化层位于衬底上方，电源网格线位于金属化层内。信号焊盘位于金属化层内，并且信号焊盘由电源网格线围绕。信号外部连接件电连接至信号焊盘。本发明的实施例另一方面提供一种制造半导体器件的方法。
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