公开(公告)号：CN104701143B

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201410756796.3

申请日：2014-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘兴强 ,  谢静华 ,  许宏辉

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明提供了用于鲁棒金属化剖面的双层硬掩模。通过形成具有不同密度的两个或多个硬掩模的层形成鲁棒金属化剖面。多层金属硬掩模在例如50nm及以下的小部件尺寸工艺中尤其有用。下层具有较高密度。通过这种方式，由下层提供足够的工艺窗口并且同时，由上层提供圆形硬掩模剖面。

公开(公告)号：CN104701143A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410756796.3

申请日：2014-12-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 潘兴强 ,  谢静华 ,  许宏辉

IPC: H01L21/027

Abstract: 本发明提供了用于鲁棒金属化剖面的双层硬掩模。通过形成具有不同密度的两个或多个硬掩模的层形成鲁棒金属化剖面。多层金属硬掩模在例如50nm及以下的小部件尺寸工艺中尤其有用。下层具有较高密度。通过这种方式，由下层提供足够的工艺窗口并且同时，由上层提供圆形硬掩模剖面。