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发明公开
具有改善的静电放电保护的半导体器件及其形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN113013230A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011484583.1

申请日：2020-12-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许胜福 , 蔡执中 , 朱振梁 , 龚达渊

IPC: H01L29/08 , H01L29/78 , H01L27/02 , H01L21/336

Abstract: 本公开的各种实施例涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括位于衬底中且在侧向上间隔开的源极区与漏极区。栅极堆叠位于衬底之上以及源极区与漏极区之间。漏极区包括位于衬底中的具有第一掺杂类型的两个或更多个第一掺杂区。漏极区还包括位于衬底中的一个或多个第二掺杂区。第一掺杂区具有比第二掺杂区高的第一掺杂类型掺杂剂的浓度，且每一个第二掺杂区在侧向上设置在两个相邻的第一掺杂区之间。另提供一种半导体器件的形成方法。

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