公开(公告)号：CN115084006A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210114059.8

申请日：2022-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦之 ,  孙立安 ,  蔡哲恩 ,  江祐鳞 ,  黄崇铨 ,  陈志壕

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种方法包括：在导电部件上方形成第一蚀刻停止层(ESL)，在第一ESL上形成第一介电层，在第一介电层上形成第二ESL，在第二ESL上形成第二介电层，在第二介电层中形成沟槽，在沟槽的底面中形成延伸穿过第二介电层的第一开口，以及在第一开口的底面中形成第二开口。第二开口延伸穿过第一介电层和第一ESL。第二开口暴露导电部件的顶面。该方法还包括加宽第一开口至第二宽度，用导电材料填充沟槽以形成导线，以及用导电材料填充第二开口和第一开口以形成导电通孔。本申请的实施例提供了半导体器件及其形成方法。

公开(公告)号：CN222530369U

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202421041948.7

申请日：2024-05-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志壕 ,  黄崇铨 ,  谢佾苍 ,  林育奇 ,  赵家忻 ,  蔡哲恩

IPC: H01J37/21 ,  H01J37/32 ,  H01J37/20 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种用于执行一工艺的半导体制造装置。一种电浆处理装置包含配置用以接收用于蚀刻工艺的晶圆的腔室；设置于腔室内并且配置用以聚焦电场以控制蚀刻工艺的蚀刻方向的导电聚焦环；以及设置于腔室内的绝缘盖环。绝缘盖环配置用以改变电场。绝缘盖环具有内环绝缘部分和外环绝缘部分，且其中在内环绝缘部分与外环绝缘部分之间定义出一间隙。