公开(公告)号：CN111129066B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201911041127.7

申请日：2019-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴昭谊 ,  余绍铭 ,  蔡仕琦

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 一种相变化随机存取记忆体装置及其制造方法。方法包括在导电层上方形成介电层，以及在介电层中的开口中形成侧壁间隔物。此开口暴露导电层的一部分。在导电层和侧壁间隔物上方形成底部电极层。在底部电极层上方形成相变化材料层，并且在相变化材料层上方形成顶部电极层。在一个实施例中，此方法包括在形成相变化材料层之前凹陷蚀刻底部电极层。

公开(公告)号：CN111129066A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911041127.7

申请日：2019-10-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴昭谊 ,  余绍铭 ,  蔡仕琦

IPC: H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 一种相变化随机存取记忆体装置及其制造方法。方法包括在导电层上方形成介电层，以及在介电层中的开口中形成侧壁间隔物。此开口暴露导电层的一部分。在导电层和侧壁间隔物上方形成底部电极层。在底部电极层上方形成相变化材料层，并且在相变化材料层上方形成顶部电极层。在一个实施例中，此方法包括在形成相变化材料层之前凹陷蚀刻底部电极层。