-
公开(公告)号：CN103715258B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310020026.8
申请日：2013-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1054 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供半导体器件。该器件包括衬底，通过第一半导体材料形成的鳍结构，位于鳍的一部分上的栅极区，在衬底上且通过栅极区隔开的源极区和漏极区，以及在源极区和漏极区上的源极/漏极堆叠件。源极/漏极堆叠件的下部通过第二半导体材料形成并且接触栅极区中鳍的下部。源极/漏极堆叠件的上部通过第三半导体材料形成并且接触栅极区中鳍的上部。本发明还提供一种用于半导体器件的源极/漏极堆叠件压力源。
-
公开(公告)号：CN103426882B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310002693.3
申请日：2013-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/823821 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L27/0922 , H01L27/0924
Abstract: 公开一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括具有第一区域和第二区域的衬底。该半导体器件还包括在位于第一区域中的衬底上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第一缓冲层，以及在位于第二区域中的衬底上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第二缓冲层。该半导体器件还包括在位于第一区域中的第一缓冲层上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第一鳍结构，以及在位于第二区域中的第二缓冲层上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第二鳍结构。第一缓冲层的顶面不同于第二缓冲层的顶面。本发明提供了CMOS器件及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN103715258A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310020026.8
申请日：2013-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1054 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供半导体器件。该器件包括衬底，通过第一半导体材料形成的鳍结构，位于鳍的一部分上的栅极区，在衬底上且通过栅极区隔开的源极区和漏极区，以及在源极区和漏极区上的源极/漏极堆叠件。源极/漏极堆叠件的下部通过第二半导体材料形成并且接触栅极区中鳍的下部。源极/漏极堆叠件的上部通过第三半导体材料形成并且接触栅极区中鳍的上部。本发明还提供一种用于半导体器件的源极/漏极堆叠件压力源。
-
公开(公告)号：CN103426882A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310002693.3
申请日：2013-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/823821 , H01L21/823807 , H01L21/823878 , H01L27/0922 , H01L27/0924
Abstract: 公开一种半导体器件和制造半导体器件的方法。示例性半导体器件包括具有第一区域和第二区域的衬底。该半导体器件还包括在位于第一区域中的衬底上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第一缓冲层，以及在位于第二区域中的衬底上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第二缓冲层。该半导体器件还包括在位于第一区域中的第一缓冲层上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第一鳍结构，以及在位于第二区域中的第二缓冲层上方以及第一隔离区域与第二隔离区域之间形成的第二鳍结构。第一缓冲层的顶面不同于第二缓冲层的顶面。本发明提供了CMOS器件及其形成方法。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.027 seconds)
