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公开(公告)号：CN106158597A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201510860885.7
申请日：2015-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , H01L21/0271 , H01L21/0337 , H01L21/3085 , H01L21/3086 , H01L21/31144 , H01L21/76816 , H01L21/027
Abstract: 本发明揭示的内容为使用多重定向自组装(directed self-assembly，DSA)图案化工艺形成用于半导体元件的目标图案的一种方法。方法包括接收基板，及通过执行包括第一DSA工艺的工艺在基板上形成导引图案。方法进一步包括使用导引图案在基板上方执行第二DSA工艺。在一实施例中，第一DSA工艺控制第一方向上密集图案的第一间距，第二DSA工艺控制在第二方向上密集图案的第二间距。因为导引图案是由包含DSA工艺的工艺所形成，可精确地控制导引图案的临界尺寸。此外，由第二DSA工艺所产生的最终图案可具有密集间距，且尺寸及形状更均匀。
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公开(公告)号：CN107204279A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201611213212.3
申请日：2016-12-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/768
Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括提供衬底；在衬底上方形成芯轴图案；以及在芯轴图案的侧壁上形成间隔件。该方法进一步包括去除芯轴图案，从而形成至少部分地被间隔件围绕的沟槽。该方法进一步包括在沟槽中沉积共聚物材料，其中共聚物材料是定向自组装的；并且引发共聚物材料内的微相分离，从而限定由第二组分聚合物围绕的第一组分聚合物。芯轴图案具有限制的尺寸和限制的配置。第一组分聚合物包括布置成矩形阵列或正方形阵列的圆柱。
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公开(公告)号：CN104689619B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410736750.5
申请日：2014-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B01D67/0093 , B01D65/003 , B01D69/02 , B01D2313/04 , B01D2323/30 , B01D2323/34 , G03F7/16
Abstract: 根据实施例，在使用过滤膜过滤工艺流体之前，使用密封材料密封过滤膜。密封材料是氟基聚合物或具有交联基团的聚合物。一旦已经将密封材料放置为与过滤膜接触，可以使用物理或化学工艺引发交联反应以交联密封材料并将过滤膜密封到密封材料内，从而使过滤膜与工艺流体间隔开，以减小或消除过滤膜浸出至工艺流体内。本发明涉及具有密封处理的过滤器。
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公开(公告)号：CN104689619A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201410736750.5
申请日：2014-12-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B01D67/0093 , B01D65/003 , B01D69/02 , B01D2313/04 , B01D2323/30 , B01D2323/34 , G03F7/16
Abstract: 根据实施例，在使用过滤膜过滤工艺流体之前，使用密封材料密封过滤膜。密封材料是氟基聚合物或具有交联基团的聚合物。一旦已经将密封材料放置为与过滤膜接触，可以使用物理或化学工艺引发交联反应以交联密封材料并将过滤膜密封到密封材料内，从而使过滤膜与工艺流体间隔开，以减小或消除过滤膜浸出至工艺流体内。本发明涉及具有密封处理的过滤器。
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公开(公告)号：CN110875175B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201910800843.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 本公开中提供一种半导体装置的制造方法，其包括提供基板；于基板上形成底层；于底层上形成中间层，其上表面包括光敏单元，光敏单元具有锚定在该中间层中的第一端以及远离中间层的上表面延伸的第二端；于中间层上形成光刻胶层；将光刻胶层在辐射源中曝光；以及显影光刻胶层以形成图案。光敏单元，包括光酸产生剂、光碱产生剂、光分解淬灭剂、或光分解碱，可通过一个或多个连接基团，锚定至形成中间层的聚合物主链。光敏单元延伸入光刻胶层的距离，可由连接基团的长度来决定。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119493335A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202410994685.X
申请日：2024-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请涉及用于极紫外光刻法的含硫醇光致抗蚀剂组合物。所述光致抗蚀剂组合物可用于制造半导体器件，制造半导体器件的方法包括在基板上方由光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂层。将所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至经选择性曝光的光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂来使所述潜在图案显影。所述光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物、包含芳基基团和酸不稳定基团的含硫醇聚合物。所述硫醇基团可以经由氧化二硫键形成和/或硫醇‑烯/炔“点击”反应来使所述聚合物交联。
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公开(公告)号：CN110875175A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910800843.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 本公开中提供一种半导体装置的制造方法，其包括提供基板；于基板上形成底层；于底层上形成中间层，其上表面包括光敏单元，光敏单元具有锚定在该中间层中的第一端以及远离中间层的上表面延伸的第二端；于中间层上形成光刻胶层；将光刻胶层在辐射源中曝光；以及显影光刻胶层以形成图案。光敏单元，包括光酸产生剂、光碱产生剂、光分解淬灭剂、或光分解碱，可通过一个或多个连接基团，锚定至形成中间层的聚合物主链。光敏单元延伸入光刻胶层的距离，可由连接基团的长度来决定。
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公开(公告)号：CN107204280A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201611262065.9
申请日：2016-12-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/033
CPC classification number: G03F7/002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/165 , G03F7/20 , G03F7/2022 , G03F7/2059 , G03F7/32 , G03F7/40 , H01L21/02112 , H01L21/0274 , H01L21/0337 , H01L21/3065 , H01L21/3086 , H01L21/0332 , H01L21/0338
Abstract: 半导体装置的形成方法。此方法包括形成第一图案化硬掩模于材料层上。第一图案化硬掩模定义开口。此方法也形成直接自组装层于开口中，且直接自组装层具有第一部分与第二部分。移除直接自组装层的第一部分，沿着直接自组装层的第二部分的侧壁形成间隔物，以及移除直接自组装层的第二部分。间隔物形成第二图案化硬掩模于材料层上。
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公开(公告)号：CN106601597A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201610880063.X
申请日：2016-10-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0271 , B81C2201/0149 , G03F7/0002 , H01L21/02118 , H01L21/02315 , H01L21/02318 , H01L21/02356 , H01L21/31138
Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的形成方法，其包括形成图案化特征于基板之上、涂布(apply)包括第一聚合物及第二聚合物的定向材料于上述基板之上。上述第一聚合物具有第一活化能而第二聚合物具有第二活化能。上述方法亦包括于第一温度烘烤上述基板以形成包括第一聚合物的第一定向层、于第二温度烘烤上述基板以形成包括第二聚合物的第二定向层、以及于第一及第二定向层上进行定向自组装(directed self‑assembly，DSA)工艺。
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公开(公告)号：CN110824845A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910743530.8
申请日：2019-08-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/16
Abstract: 本公开提供一种半导体制程，其包括提供光阻溶液，光阻溶液中含有具有第一体积的第一溶剂和具有第二体积的第二溶剂，其中第一溶剂不同于第二溶剂，且第一体积小于第二体积。涂布光阻溶液于基板上以形成薄膜，其中涂布过程将蒸发一部分第一溶剂和一部分第二溶剂，使得第一溶剂的剩余部分大于第二溶剂的剩余部分。烘烤薄膜，并于烘烤薄膜后，将薄膜进行曝光以形成已曝光薄膜，以及将已曝光薄膜进行显影。
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