公开(公告)号：CN101740621B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN200910173953.7

申请日：2009-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 科里什纳·库马尔·布瓦卡 ,  许义明 ,  卡洛斯·H·迪亚兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/66356

Abstract: 一种具有金属源极的隧道场效应晶体管包括：沟道区；沟道区上方的栅电介质；和栅电介质上方的栅电极。第一源/漏区邻接栅电介质，其中第一源/漏区是半导体区且为第一导电类型。相比第一源/漏区，第二源/漏区在沟道区的相对侧上，其中第二源/漏区是金属区。与第一导电类型相反的第二导电类型的袋形区水平地位于沟道区和第二源/漏区之间。

公开(公告)号：CN101740621A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910173953.7

申请日：2009-09-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 科里什纳·库马尔·布瓦卡 ,  许义明 ,  卡洛斯·H·迪亚兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/66356

Abstract: 一种具有金属源极的隧道场效应晶体管包括：沟道区；沟道区上方的栅电介质；和栅电介质上方的栅电极。第一源/漏区邻接栅电介质，其中第一源/漏区是半导体区且为第一导电类型。相比第一源/漏区，第二源/漏区在沟道区的相对侧上，其中第二源/漏区是金属区。与第一导电类型相反的第二导电类型的袋形区水平地位于沟道区和第二源/漏区之间。