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公开(公告)号:CN222354737U
公开(公告)日:2025-01-14
申请号:CN202420999562.0
申请日:2024-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor: 林崇荣 , 金雅琴 , 王立宇
IPC: G11C17/16 , G11C17/18
Abstract: 一种包括记忆体阵列的记忆体装置,其中记忆体阵列包括多个一次性可程序化记忆体单元。多个一次性可程序化记忆体单元中的各者包括选择晶体管、二极管和导体熔丝。二极管和导体熔丝串联,且选择晶体管耦合至二极管和导体熔丝之间的共同节点。